6770 力積電 最新年報整理 最新年報重點整理(2025/民114 年度)
版本:v1 (2026-06-11)
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一、損益概況與獲利能力
全年損益(2025 年報 p.53,仟元,113 vs 114)
| 項目 |
113 年度(2024) |
114 年度(2025) |
差異 |
| 營業收入 |
44,725,710 |
46,730,113 |
+4% |
| 營業成本 |
44,200,285 |
48,267,110 |
+9% |
| 營業毛利 |
525,425 |
(1,536,997) |
(393%、2025 全年毛利轉負) |
| 營業費用 |
9,820,649 |
8,054,476 |
(18%) |
| 其他收益及費損淨額 |
1,329,759 |
3,631,395 |
+173%(認列技術移轉淨收入) |
| 營業損益 |
(7,965,465) |
(5,960,078) |
改善 25% |
| 營業外收入及支出 |
1,133,716 |
(1,516,924) |
(234%、美金匯率貶值淨兌換損失) |
| 稅前淨利(損) |
(6,831,749) |
(7,477,062) |
(9%) |
| 本期淨利(損) |
(6,777,299) |
(7,812,302) |
(15%) |
註:2025 全年 EPS (1.86) 元(與 2026-02-05 法說發言人口徑吻合);全年毛利轉負主因銅鑼新廠 P5 遠未達經濟規模、折舊重(2025 年報 p.53)。連 10 季淨損(2023Q3 起至 2025Q4),26Q1 因一次性處分轉正(見〈季報整理〉)。
現金股利(2025Q1 季報附註二二 p.26)
| 盈餘年度 |
113(2024) |
114(2025) |
| 每股現金股利(元) |
0 |
0 |
2024、2025 連兩年度因虧損不配息(114 年度盈餘分配為董事會 115/2/24 決議:提列特別盈餘公積 720、現金股利 0)。
二、營收結構與產品比重
- 產品結構(2025 年報致股東報告書 p.3):邏輯代工 61% + 記憶體代工 37% + 先進封裝 2%;邏輯代工中電源管理及功率元件占比 28%→36%;先進封裝占比 0.2%→2%。
- 產品別營收(2025 年報 p.42,仟元):邏輯暨特殊應用 113 年 27,044,374(60.47%)→ 114 年 28,555,785(61.11%);記憶體 17,681,336(39.53%)→ 18,174,328(38.89%)。
- 銷售地區(2025 年報 p.45):內銷 50.74%、亞洲 23.90%、美洲 18.41%、歐洲 6.95%;美洲 113 年 9.87%→114 年 18.41%(年增約 +95%)← 美光效應。
- 生產基地:P1/P2/P3 廠(新竹、12 吋)、8A/8B 廠(竹南、8 吋)、銅鑼廠 P5(處分中、115/3 已分階段轉讓台灣美光)。
三、市占與競爭利基(公司自承)
- 市佔(2025 年報 p.45):114 年全球晶圓代工總產值 1,745 億美元;力積電全年合併營收約 467.3 億台幣、位居全球前十大晶圓代工之一(市佔約 1%)。
- 12 吋鋁製程低成本平台(核心利基,2025 年報 p.43):12 吋標準邏輯晶圓代工皆以銅製程為主;力積電以低成本 12 吋鋁製程平台,較同節點 8 吋鋁製程成本可降 30%;12 吋 80 奈米以上鋁製程用於 PWM/DDIC/MCU/CIS。
- 利基記憶體(15 年積累):1x 奈米製程;NAND Flash 24 奈米已量產、48 奈米 NOR Flash 進入量產;8 吋重心 GaN/MOSFET/IGBT。
- 產業規模(年報 p.45 引述 WSTS):2025 全球半導體 7,722.4 億美元(+22%)、2026 預估 9,754.6 億美元(+26%)、主要動能 Memory 與 Logic。
四、美光交易(年報 p.51 重要契約,坐實轉型主軸)
| 契約性質 |
當事人 |
起訖(民國) |
內容 |
| 資產買賣協議 |
台灣美光 |
115.02~116.08 |
處分資產(銅鑼廠 P5) |
| 資產移轉服務契約 |
台灣美光 |
115.02~116.08 |
資產移轉期間支援服務 |
| 技術合作契約 |
Micron Technology Inc. |
115.02~ |
技術合作 |
| 代工服務契約 |
Micron Technology Inc. |
115.02~120.12 |
後段晶圓製造代工服務(PWF) |
美光綁定三重戰略目的(年報 p.3):銅鑼廠 P5 賣斷(18 個月內分階段轉讓、不裁員不間斷)+ 委託 PWF 先進段晶圓製造、納入 HBM 先進封裝供應鏈 + 美光協助精進利基型 DRAM 代工、切入下一代 DRAM 製程。另:技術合作契約與日商 Micron Japan 自 92.08 起即存在(淵源深)。
五、研發與技術藍圖
- 研發費用(年報 p.44):114 年度 52.57 億元(5,257,279 仟元)。
- 114 年開發成功(年報 p.44):110 奈米 3.3V Gate BCD(電源管理 IC)、AL HV80 8V(顯示驅動 IC)、55 奈米 3.3V BSI(CMOS 影像感測器)、60~100V Double Gate LF1(分離式元件)、Interposer(中介層)、3DIC。
- 3D 晶圓堆疊鍵合(3D WoW Hybrid-Bonding,年報 p.3):3D AI DRAM 四層技術已取得先進邏輯大廠認證、推進八層堆疊鍵合、應用 Edge AI;2.5D 中介層(Interposer)+高密度電容 IPD 已通過國際大廠認證、開始送樣。
- AI 伺服器周邊成熟製程需求(PMIC、矽中介層、GaN、IPD 矽電容)2026 起放量。
六、客戶/供應/員工
- 客戶分散(年報 p.48):占銷貨 10% 以上僅甲客戶 4,750,483(10.17%)、其他 89.83%——前一大客戶僅占 10.17%、客戶分散。
- 供應商(年報 p.48):A 廠商 10.69%、B 廠商 5.65%。
- 員工(年報 p.48):直接 2,065 + 間接 6,296 = 8,361 人;平均年齡 40.04 歲、平均年資 11.48 年;碩士 36.58%、博士 0.58%。
七、財務狀況與現金流
- 財務狀況(年報 p.52,仟元):資產總額 113 年 188,920,850 → 114 年 178,685,624((5%));負債總額 100,275,185 → 96,685,437((4%));歸屬母公司權益 88,645,665 → 82,000,187((7%、因虧損));保留盈餘 19,534,425 → 11,796,415((40%))。
- 現金流量(年報 p.53):營業活動 113 年 64.95 億 → 114 年 78.23 億(+20%)(穩定為正並轉強);投資活動轉正(銅鑼廠購置設備減少);籌資活動轉負(銀行借款減少)。
- 2026(115 年度)預計:期初現金 24,201,866、預計營業活動淨現金流入 8,181,857、加出售銅鑼廠房及設備價款(年報 p.53)。
- 印度塔塔(Tata Electronics / SemiFab)技術服務費已累計入帳逾 1.43 億美元(年報 p.3)。
本頁為〈6770 力積電 完整分析〉之最新年報(2025/民114)重點整理。完整五大商業邏輯判讀見「最新分析」;季別損益見「最新季報整理」;法說管理層指引見「最新法說會整理」;早期歷史對照見「公開說明書整理」。所有數字回查 _事實底稿_2026-05-29.md A 區。