3707 漢磊科技 最新法說會整理　最新法說會重點（2025-09-17 嘉晶暨漢磊聯合法說）

本頁為漢磊科技最新法說會（2025-09-17 嘉晶暨漢磊聯合法人說明會、時長 1:10:00）的重點整理——SiC 8 吋／Gen4／GaN／產能利用率／化合物成長說法；逐字稿全文見 _文件/法說會/3707_2025-09-17_法說會逐字稿.md、所有引述回查 _事實底稿_2026-06-11.md L 區（L1）。

⚠️ 聯合法說口徑提醒：本場為「嘉晶（3016）暨漢磊（3707）聯合法說會」，逐字稿多含合併口徑／人民幣／集團數字。引用須分清「漢磊合併數」「漢磊元件代工事業（不含嘉晶）數」「嘉晶數」三者；數字以漢磊 L2 季報年報為準，AI 轉錄錯字不修。列席：董事長徐建華、嘉晶總經理溫景祥、漢磊總經理劉燦文、發言人范貴榮副總（2025-09-17 法說會逐字稿）。

一、三主體 25H1 財務（管理層親口，L1）

數據出處：2025-09-17 法說會逐字稿（漢磊合併行 176-178、漢磊元件行 180、嘉晶行 140·行 144）。漢磊合併 25H1 資產總計 133.8755 億、負債 42.3376 億（負債比 32%、去年同期 36%）、權益 91.5380 億、每股淨值 18.58 元（2025-09-17 法說會逐字稿）。

二、漢磊元件代工事業 25H1 應用別／技術別（L1）

• 應用別（漢磊元件、25H1）：工業用 42%、消費性 30%、車用 22%（去年 28%）、綠能 6%（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 技術別（漢磊元件、25H1）：化合物元件（SiC+GaN）占 41%（去年 49%）；TBS（PC/NB/手機消費市場）由前年 11%→去年 17%→今年 25%（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 化合物明細 25H1 YoY：SiC 年對年衰退約 64%（中國內捲、太陽能／電動車疲弱）；GaN 晶圓代工仍成長 +11%（AI 伺服器、人形機器人）；Silicon Base +8%（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 嘉晶 25H1：矽基產品中 PMIC 持續上揚、MOSFET/IGBT 回升、FRD/SBT 保守；化合物累計金額衰退約 49%（2025-09-17 法說會逐字稿）。

⚠️ 此為「漢磊元件事業」口徑，與〈年報整理〉合併商品比重（磊晶 61.52%／元件 36.35%）為不同維度、不可混用。

三、SiC 價格與定價權（核心逆風，L1）

• 過去一年 6 吋 SiC 價格大跌約六成、部分 Substrate 低於變動成本（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• SiC 與 IGBT 價差由 2-3 倍縮至 1.2-1.5 倍（2025-09-17 法說會逐字稿）——SiC 溢價空間被壓縮。
• 管理層觀點：SiC 價格已達甜蜜點、未來下跌空間有限、量有機會提升而價持平（2025-09-17 法說會逐字稿）——定價權短期難擴張，靠量撐稼動率、以成本攤薄改善獲利。

四、產能利用率與 8 吋／Gen4／GaN（L1）

• 6 吋 SiC：月產能約 5K 顆（全 MOS）；GaN 約 2K 顆/月（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 8 吋 SiC 產線：25H1 安裝、25H2 試產、初期月產能 1.5K 顆、商業化約 25Q4（消費／工業先、車規較晚）、116 年（2027）大規模量產（2025-09-17 法說會逐字稿）。8 吋產能由 VENGA（世界先進相關）主要負責運營、漢磊負責客戶與技術、產能歸屬漢磊；分潤按 Foundry 計價；VIS 為漢磊股東（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• Gen4 SiC：性能+20%、晶片尺寸縮 20%、已過 1000 小時可靠性測試、多客戶 Tap Out、24Q4 小量量產、25 年主力；Gen5 研發中；漢磊為少數能提供 3300V 代工廠之一（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 化合物純代工稀缺供給：全球能同時提供 6 吋與 8 吋 SiC／GaN 純代工廠極少＝漢磊、X-FAB、大陸基塔；有 8 吋計畫者僅漢磊與 X-FAB；競爭對手 Wolfspeed、Navitas「部分同時也是客戶」（2025-09-17 法說會逐字稿）。

五、親口指引與成長說法（L1）

• 下半年（漢磊晶圓代工）：對上半年「至少 10%~20% 之間」成長，化合物（SiC 補 GaN 下滑）為主力、矽基持平或小幅衰退（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 車用 SiC：下半年「至少雙位數以上成長」、客戶開始積極備貨（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 嘉晶下半年：高單位數成長；明年 8 吋矽基代工＋化合物半導體均雙位數成長（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• 客戶結構：SiC 主力為「大陸 Fabless 客戶」、非大陸以 IDM 客戶為主；SiC 客戶策略兩階段——先接「沒建 SiC 產能／自建風險高的大型 IDM（Latecomer）」走 Foundry、再接大型 IDM（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• Trench 平台：因多項專利限制、漢磊不主動提供、僅配合客戶自帶技術（專利風險由客戶負責）（2025-09-17 法說會逐字稿）。
• GaN／SAM 觀點：GaN 的 TAM 約僅 SiC 的 1%（全 TAM 量級口徑），但資料中心 DC-DC、人形機器人關節、無人機將拉抬 GaN 需求（2025-09-17 法說會逐字稿）。

六、兌現度判讀（以 2025 年報覆核）

• 法說會時點 2025-09-17，當時宣示「8 吋 25H1 安裝／25H2 試產／116 年大規模量產」「Gen4 24Q4 小量量產、25 年主力」「下半年雙位數成長」。
• 與 2025 年報（115/4/13 刊印）對照部分兌現：2025 年報 p.1 確認「Gen4 平面式 MOSFET 已進入量產」「正式啟動與世界先進合作之 8 吋 SiC 產線設備安裝與製程驗證、為 116 年大規模量產奠基」（2025 年報 p.1）。
• 惟 2025 全年營收 57.66 億（YoY -0.87%、基本持平，2025 年報 p.1），未達法說宣示「化合物雙位數成長」帶動全年明顯回升的期待——因矽基與整體仍受拖累、SiC 雖回升但占比有限。
• 單一場次限制（缺口）：AlphaMemo 僅收錄此 1 場逐字稿，近 4 季其他場次（如 2026Q1 法說）未收錄，無法做 4 季口徑兌現度時序對比表——此為來源無收錄、非未抓（缺口，見〈年報整理〉與底稿 K 區）。月營收連 6 個月雙位數成長（FinMind 量化錨點 L2 衍生）為法說「下半年回溫」宣示之延續驗證。後續須補 2026 年法說會逐字稿（待補）。

本頁為〈3707 漢磊科技 完整分析〉之最新法說會（2025-09-17）重點整理。年度／季別財務見「[[年報整理]]」「[[季報整理]]」；募資用途見「[[公開說明書整理]]」。所有引述回查 _事實底稿_2026-06-11.md L 區與法說逐字稿原文。