3707 漢磊科技 最新年報整理　最新年報重點整理（2025／民114 年度）

本頁為漢磊科技（EPISIL，3707，台股上櫃）最新年報（2025／民114 年度，115/4/13 刊印）的結構化重點整理；所有數字回查 _事實底稿_2026-06-11.md、附年報頁碼。⚠️ 重大集團結構：3707 為合併報表母公司、旗下持有嘉晶電子（3016，上市）57.86%（公開說明書 114/3/31 p.54），所有「合併」數＝漢磊＋嘉晶（含其他子公司）。

一、商業模式與業務範圍

漢磊一句話商業模式：做 SiC／GaN 等化合物半導體的純晶圓代工（Pure Foundry），同時自製並供應上游磊晶材料。公司分兩大事業（2025 年報 p.64）：

1. 磊晶及化合物半導體事業（上游）：矽磊晶片、埋藏層磊晶片、SOI、GaN 磊晶片、SiC 磊晶片之製造（2025 年報 p.64）。
2. 元件及積體電路事業（中游晶片製造）：高功率場效電晶體（Power MOSFET）、混合型積體電路、FRD、TVS、SiC 及 GaN 分離式元件之製造（2025 年報 p.64）。

技術定位：成立逾 30 年，自承為 6"/8" SiC 與 GaN 化合物半導體「產業鏈最完整、技術最成熟的龍頭代工廠」（2025 年報 p.69）。漢磊不做終端元件品牌，而是幫沒有自建化合物產能的 IDM／Fabless 代工生產、並供應磊晶基材。

二、產品結構（2025 年報 p.64，仟元）

磊晶晶片仍為大宗（2025 年占 61.52%）；元件代工占比由 2024 年 33.87% 升至 2025 年 36.35%（2025 年報 p.64），產品結構往附加價值較高的中游晶片製造略升。⚠️ 年報合併口徑（磊晶／元件／其他）與法說會口徑（漢磊元件事業的應用別／技術別）為不同維度、不可混用。

三、銷售地區（2025 年報 p.72，仟元）

內外銷約 43:57，外銷以美元計價（匯率風險，2025 年報 p.89）。美洲區占比 2025 年由 23.09% 下滑至 20.09%（2025 年報 p.72），與歐美電動車需求放緩、客戶下單保守一致。

四、歷年損益（連 2 年虧損，億元）

三軸／比率 109-113 抄自公開說明書 202508_B05「財務分析（合併）」p.83-84；毛利率／營益率為 B05 損益表金額重算。114（2025）營收 5,765,972 仟元、營業毛損 (190,447)、營業損失 (869,198)、稅後淨損 (748,891)、EPS (1.97)（2025 年報 p.1、p.87）；毛利率 (3.30%)、營益率 (15.07%) 為衍生。 EPS 由盈轉虧軌跡：2020 虧→2021／2022 連 2 年獲利高峰（2022 EPS 2.47 為近年最佳）→2023 急縮（0.20）→2024／2025 連 2 年虧損（(1.51)、(1.97)）（公開說明書 B05 p.82-83、2025 年報 p.1）。這不是「由虧轉盈」、而是「由盈轉虧後在谷底改善中」。 業外的兩面性：113（2024）業外 +3.15 億主要含「出售不動產、廠房及設備利益」（2025 年報 p.87 原文：「去年有出售不動產、廠房及設備利益、而本期無所致」），屬一次性；114（2025）業外驟降至 +1.31 億即因此基數消失＋兌換損失 7,653 仟元（2025 年報 p.89）。讀損益須把這筆一次性利益剔除才看得清本業。

五、毛損結構與折舊（成本核心變數）

2025 年出現營業毛損 (190,447) 仟元（2025 年報 p.87），主因「折舊費用提列明顯增加致毛利下降」（2025 年報 p.87）。這是資本密集代工業的典型結構：高 CapEx 擴 8 吋 SiC 期間、新產能尚未滿載，但折舊（固定成本）已開始全額提列，於是帳面毛利被吃掉。不動產廠房設備由 2020 年 29.77 億擴至 2026Q1 的 57.59 億（2025 年報 p.86），連年高 CapEx 押注 8 吋 SiC 產線。

六、客戶與供應商集中度（2025 年報 p.76，仟元）

客戶相當分散：2025 僅 1 家客戶（B 客戶）超過銷貨 10%（占 13.13%），其餘 86.87% 由眾多客戶分攤；2025 年報 p.91 風險（九）原文「最大客戶占營業淨額 13.13%、並無銷貨集中之情事」。客戶全部以代號 A-U 匿名揭露（2025 年報 p.76、p.85），無法具名第一大客戶。 供應商：前 3 大 B/C/A 供應商 114 年占進貨 18.69%／12.00%／11.59%、合計約 42%，無單一達 20%（2025 年報 p.76、p.91 風險九原文「均未達進貨淨額之 20%、亦無過度集中之情事」）。

七、研發與技術里程碑

研發費率約 3.2%~4%；2026 預估研發費約 2.6542 億（2025 年報 p.90）。專利持有：中華民國 8 項、美國 3 項、中國大陸 3 項、韓國 1 項、日本 1 項（2025 年報 p.71）。 技術里程碑（2025 年報 p.70-71）：2022 4/6 吋 SiC G2 量產；2023 6 吋 SiC G2 3300V MOS 量產；2024 6 吋 SiC G3 量產、6 吋 650V GaN-on-Si 量產；2025 6 吋 SiC G3 3300V MOS 量產、G4 高品質高可靠度量產、G5 研發、6 吋 100/150V GaN-on-Si 量產（2025 年報 p.70-71）。

八、競爭利基與認證（2025 年報 p.73）

• 競爭利基（2025 年報 p.73）：優異磊晶生產技術、已量產 GaN／SiC 磊晶材料、高度彈性產品線（少量多樣）、以策略聯盟引進關鍵技術、為台灣垂直整合 IC 產業鏈中堅一環。
• 車用認證門票：ISO 9001／IATF16949／ISO14001／ISO45001、SONY 綠色夥伴、VDA6.3 品質系統 A 級認證（2020/11 通過）（2025 年報 p.73、p.2）。車用認證週期長、轉換成本高，是進入車規供應鏈的硬門檻。

九、重大事件與資本配置

• 與世界先進（VIS）8 吋 SiC 合作：2025 年報 p.1 確認「正式啟動與世界先進合作之 8 吋 SiC 產線設備安裝與製程驗證、為 116 年（2027）大規模量產奠基」；「Gen4 平面式 MOSFET 已進入量產」（2025 年報 p.1）——8 吋進度與 Gen4 量產部分兌現。
• 可轉換公司債（稀釋風險）：國內第五次無擔保 CB（114/8/20 發行 10 億、利率 0%、5 年期、轉換價 40.10 元；截至 115/4/13 已轉換 5,314 張、面額 5.314 億轉成 13,251,749 股、未償還 4.686 億）（2025 年報 p.60）——後續轉股將稀釋 EPS。
• 權益與子公司（2025 年報 p.86）：歸屬母公司權益（2025/12）7,104,440 仟元、非控制權益 2,061,217 仟元（即嘉晶等少數股權、占權益約 22%）；保留盈餘 (502,824) 仟元（累積虧損）、股本 3,901,453 仟元（2025 年報 p.86）。
• 員工（2025 年報 p.76，含子公司）：2024 年合計 1,568 人、2025 年 1,546 人、截至刊印日 1,534 人；平均年資約 11 年、碩士以上學歷約 18%（2025 年報 p.76）。
• 股利：公開說明書 B05 p.27 載 112、113 年度董事會決議不分配；FinMind 標「110 年現金 0.3473／111 年現金 1.0」為盈餘所屬年度配發口徑（量化錨點 行 38-39、底稿 J 區）。

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