3016 嘉晶電子 公開說明書整理　21 份公開說明書逐案辨明與歷次募資效益達成度（民92 ～ 民115）

本頁為嘉晶電子（Episil-Precision Inc.，代號 3016）本地 21 份公開說明書（唯一內容）的逐案辨明與結構化重點整理，涵蓋 民國 92 年（2003）～ 民國 115 年（2026）、跨 23 年 10 個募資案。

⚠️ 本頁最重要的內容是第三節「歷次募資效益達成度」——這是評估管理層長期承諾兌現度唯一可稽核的一手證據鏈，也是判斷本次 626,390 仟元募資該套多少折扣係數的直接依據。 ⚠️ 辨明紀律：21 份分屬 10 個不同案由（有擔保公司債／無擔保 CB 六次／合併增資／現金增資兩次／私募補辦公開發行），不可一律稱「公司債」或「CB」。 ⚠️ 頁碼慣例：本頁引用之頁碼為各該 PDF 之頁次（與最新分析報告一致）。2026/08 公開說明書之印刷頁碼 ＝ PDF 頁 − 7。

一、21 份公開說明書逐案辨明（★案由已逐份回封面實證；下表每列之發行條件均取自該份公開說明書封面與其發行辦法章節）

★ 三處必須辨明的細節

1. 201807_B031／201808_B06 不是「98 年度私募辦理情形報告書」，而是 107 年的「私募有價證券補辦公開發行說明書」——把 98 年私募的 12,200 仟股補辦公開發行以符合上市規範，內容才涵蓋 98 年私募的執行與效益（201808_B06 p.4–6）。
2. 106 年現增：稿本暫訂 20 元（600,000 仟元）→ 正式定價 29.8 元（894,000 仟元），多募的 294,000 仟元經 106/10/12 董事會決議改充實營運資金（201910_B05 p.45 註2）。
3. 111 年案與 115 年案都是「現增＋CB」合併申報，同一案在公開資訊觀測站以 B05（公司債）與 B04（現金增資）兩個代碼各出一版；B05 版現增尚未定價、B04 版才有定價。115 年案目前僅有 B05 版（現增尚未訂價，202608_B05 封面）。
4. ⚠️ 202608_B05 內部口徑不一致：封面載 CB6「依票面金額之 101% 發行」，內文 p.63 表格仍寫「100%~101%」——原文並陳、不擇一。

二、本次募資（115 年度現增暨第六次 CB）完整條件

（來源：2026/08 公開說明書 p.69、p.78–p.80、p.81–p.82；印刷頁碼 ＝ PDF 頁 − 7）

預計可能產生效益（公開說明書 p.69、p.78–p.79；產品欄明載「矽磊晶晶片」）

（隱含 ASP 與隱含毛利率為自算，基數取自公開說明書 p.69、p.78–p.79；116 年之 32.52% 與公開說明書 p.79 原文所載完全一致）

★ 效益表的四個讀點

1. 公司自己把「單價逐年走跌」寫進模型：公開說明書 p.79 原文——「另考量客戶議價造成平均單價下滑，預估 117~118 年度可新增之銷售值分別為 494,269 仟元及 552,420 仟元」。隱含 ASP 由 116 年 2,624.8 元/片降至 118 年 1,902.3 元/片、三年 (27.5%)（自算，基數取自公開說明書 p.78–p.79）。
2. 隱含毛利率同步下修：公開說明書 p.79 原文——「117~118 年度…另考量原物料成本上漲，市場供給量增加，產品之平均單價向下調整等因素，保守推估毛利率將下滑至 25~30% 左右」。
3. 116 年隱含 ASP 2,624.8 元/片＝114 年度全公司實際平均 ASP 1,190.0 元/片的 2.21 倍（自算，基數取自公開說明書 p.55、p.78–p.79）——隱含「新產能必須全部以 8 吋以上高值產品滿載出貨」的假設。
4. 資金回收年限約 4 年（公開說明書 p.80，預估 118 年第四季回收；折舊採直線法、機器設備 6 年／廠務工程 9 年）。對照歷次：第四次案原估 4.81 年（公開說明書 p.63 註）、第五次案原估 3.88 年（公開說明書 p.66 註）。

三、★★歷次募資效益達成度完整時序（本頁最有價值的一手證據鏈）

3-1 十案總覽

3-2 ★111 年現增暨第四次 CB 案（960,187 仟元）— 逐年達成率

（來源：2026/08 公開說明書 p.63、p.64–p.65；比較期取 2024/07 公開說明書 p.56–p.59；標的產品＝磊晶矽晶圓）

• 執行進度：提前一季——原預計 113Q1 完成，實際 112Q4 執行完畢，支用 960,187 仟元／100.00%（公開說明書 p.63）。
• 累積現金流量達成率 102.27%（實際 881,734 vs 原估 862,136 仟元，公開說明書 p.65）。
• ★ 銷售值達成率長期穩定卡在 43~44%：113Q1 為 43.62%（2024/07 公開說明書 p.56–p.59）→ 115/5 為 43.75%（公開說明書 p.63）。兩年間幾乎沒變——這不是暫時性落後，是售價假設被系統性高估：預計 ASP ＝ 6,018,293÷1,385,800 ＝ 4,342.8 元/片，實際 ＝ 2,632,997÷955,649 ＝ 2,755.2 元/片，實際僅為預估的 63.4%（皆為自算，基數取自公開說明書 p.63）。
• ★ 量沒達標、價更差，但毛利／營益／現金流達成率反而高——公司三度歸因於「傳統低單價磊晶矽晶圓產品之產品組合改變及高單價之化合物半導體氮化鎵(GaN)之產銷量增加，加上毛利較高之加工生產比重增加」（公開說明書 p.64、p.65 原文）。「加工生產（代工）比重增加」有財報佐證：代工收入占比 113 年度 28.31% → 114 年度 32.62%（2025Q4 季報 p.64，占比為自算）。
• 未達標歸因：111 年係「高單價之化合物半導體 GaN 及 SiC 磊晶產品之產品驗證期間較預期長」；112／114 年係「終端消費性市場景氣低迷、下游客戶庫存水位過高，加上受中國大陸削價競爭」（公開說明書 p.64 原文）。

3-3 ★★113 年第五次無擔保 CB 案（508,080 仟元）— 逐年達成率

（來源：2026/08 公開說明書 p.67、p.68；標的產品＝碳化矽 (SiC) 磊晶產品）

• 執行進度：落後二季——原預計 114Q2 完成，實際 114Q4 執行完畢，「主係因機台入廠時間延後或機台機況異常致驗收延後，相關廠務工程亦同步延遲施作所致」（公開說明書 p.66 原文）。
• 累積現金流量達成率僅 11.94%（實際 29,043 vs 原估 243,166 仟元，公開說明書 p.68）。
• ★ 原註載「預估於 116 年第四季可回收資金，資金回收年限約 3.88 年」（公開說明書 p.66 註）——以目前 11.94% 的累積現金流量達成率，該回收承諾實質已不可能達成。
• 未達標歸因：「中國大陸產能大規模擴張引發削價競爭」＋「全球工控與消費性電子需求復甦緩慢」＋「新產線初期面臨較高昂之折舊費用」（公開說明書 p.67 原文）。
• 因應改善策略三軸（公開說明書 p.68 原文）：①積極開發新客戶以降低受中國大陸市場低價競爭之影響 ②持續開發新技術與中國大陸市場做出區隔 ③將現有產能進行優化與精實管理，提升設備稼動率、生產效率及成本控制能力。

3-4 ★106 年現金增資案（928,586 仟元）— 三項用途的達成率

（來源：201910_B05 p.43–p.53）

• ★ 計畫變更紀錄：原買 2 台 GaN＋5 台矽磊晶機台 → 106/12 改為 1 台 GaN＋6 台矽磊晶；GaN 訂單不如預期，107/9 該台改作研發用途（變更金額 135,217 仟元＜20% 門檻 178,800 仟元，故未構成法定計畫變更）（201910_B05 p.43–p.53）。
• ★★ 這是十案中效益最好的一案，且標的正是「矽磊晶」——矽磊晶片的營業利益達成率 278.77%，遠優於同期 GaN 的 91.95%。

3-5 ★104 年合併增資（吸收合併漢磊半導體晶圓）— 效益評估

（來源：201712_B04 p.42–p.44；201511_B04 p.45–p.49）

★ 產能綜效與成本綜效明確兌現（+15.58%／(14.44%)），但營收綜效近乎於零（+2.64%）——合併前兩家的前十大客戶僅 2 家重複（201511_B04 p.45–p.49），理論上互補性高，實際營收卻沒有 1+1>2。公司自述「藉由合併提升公司營業規模效益已逐步顯現」（201712_B04 p.42–p.44）。

3-6 ★98 年私募（南亞光電認購）— 唯一一次跨出本業的多角化嘗試

（來源：2018/08 公開說明書 201808_B06 p.4–p.6；2011/05 公開說明書 201105_B021 p.43–p.44）

• 條件（公開說明書 201808_B06 p.4）：98/1/9 董事會、98/3/20 股東臨時會通過；定價 14.99 元、12,200,000 股、182,878,000 元；特定人＝南亞光電（大股東南亞塑膠體系）；98/3/30 增資基準日。
• 用途（公開說明書 201808_B06 p.5）：充實營運資金 1,878 仟元＋購置 4 台 MOCVD 機台跨入 LED 磊晶 181,000 仟元。執行延至 98Q3（部分機台驗收延後），支用 100%。
• ★ 結果：跨界失敗（公開說明書 201808_B06 p.5–p.6 原文）——「晶電入股南亞光電 50% 並包下全數產能，致南亞無法代工」；99/3 售 2 台、租 2 台，100/8 再售 2 台；98Q4–100Q2 處分＋租金合計 180,705 仟元、資金回收率 99.84%；轉投資漢晶光電於 106/9/15 決議解散清算、帳面價值調減至 0。
• 公司自述：「南亞光電轉與晶電策略聯盟，實非本公司所能掌握」（201808_B06 p.4–p.6 原文）。
• ★ 資本配置史的讀點：這是 23 年間唯一一次把募資投向本業以外的領域，且失敗收場；此後八個案子（100／104／106／108／111／113／115 年）全數投向磊晶本業或償債。「全押本業」不是沒試過別的，是試過一次、認賠、然後就不再跨界。

3-7 效益達成度的三個結構性讀點

1. ★達成率與「標的產品」高度相關，而非與「時間」相關： - 押矽磊晶：106 年現增案矽磊晶片達成率 176~279%（大幅超標） - 押混合（矽磊晶＋GaN＋SiC 機台）：111 年案累計量 68.96%／值 43.75%／毛利 69.68%／營益 83.07%／現金流 102.27% - 押純 SiC：113 年案累計 19.52%／20.20%／(18.97)%／(32.86)%／現金流 11.94% - 本次（115 年案）標的為「矽磊晶晶片＋Ge/Si 矽光子」（公開說明書 p.69 效益表產品欄、p.75、p.78 原文）——與 106／111 兩案同源，與 113 年純 SiC 案不同源。套用折扣係數時，此一產品線差異是關鍵判斷點。
2. ★銷售值達成率長期遠低於量的達成率＝售價假設系統性高估：111 年案 111 年度量達成 205.02% 但值僅 40.23%；累計量 68.96% 但值僅 43.75%（公開說明書 p.63）。公司三度歸因中國大陸削價競爭。本次案隱含 ASP 2,624.8 元/片為 114 年實際 ASP 1,190.0 元/片的 2.21 倍（自算，基數取自公開說明書 p.55、p.78–p.79）——同一個高估風險仍在。
3. ★「回收年限」承諾的兌現紀錄：第四次案原估 4.81 年 → 累積現金流量達成率 102.27%（達標）；第五次案原估 3.88 年 → 累積現金流量達成率 11.94%（實質不可能達成）；本次案原估約 4 年（公開說明書 p.80）。

四、★早年公開說明書的獨有揭露（近年已消失）

4-1 產品別產銷量值與毛利率（92–99 年有「生產 vs 代工」拆分）

★ 「代工毛利率遠高於自製生產」在 90–91 年即有一手佐證（代工 27.17%→52% vs 生產 4.22%→16.22%，200311_B05 p.11）——這與 25 年後公開說明書 p.64、p.65、p.67 三度提到的「毛利較高之加工生產比重增加」完全呼應，是一條跨 25 年的一致證據。

4-2 產能絕對數字 20 年時序（★單位三度變更，跨期比較須留意）

• ⚠️ 單位三度變更（千平方英吋 → 片 → 層），跨期不可直接比較；106 年起改以「層」計，此後可連續比較。
• ★ 106／107 年產能利用率高達 94%／95%，是近 20 年高點；112 年 56.48% 為谷底。
• 另有機台數絕對值：合併前 20 台 → 合併後 59 台（201511_B04 p.47、201712_B04 p.43）；廠區由 4 廠（創新／磊新／篤行／力行）擴為 5 廠（新增嘉積廠 5,018.77 平方公尺）（202608_B05 p.60）。

4-3 市占率 20 年時序（★換算基準三度改變）

⚠️ 換算基準三度改變（前 6 大占九成 → SEMI 全球矽晶圓總營收），1.10%／1.39%／1.08% 三點嚴格說不完全可比；惟三點皆為「嘉晶營收 ÷ 全球矽晶圓市場」的同一概念，「五年繞一圈回到原點」的結論成立。 ★ 另有一個口徑完全不同、且對嘉晶最有利的數字：2016 年在「純磊晶代工（Pure EPI foundry）」這個更窄的 SAM 內市占 36.8%（2017-04-13 法說會簡報 p.5）——「在全球矽晶圓只有 1%，但在專業磊晶代工這個利基裡是最大的一家」，兩個數字並陳才是完整圖像。

4-4 重要契約（銷售長約）份數變化

★ 113/12/31 有 6 份銷售長約集中到期，115 年版僅剩 2 份——其中乙客戶（＝113 年版之庚客戶＝111 年版之 G 公司）為同一份十年約；另一份甲客戶為新簽約（113/12/20 起、6 年至 119/12/19），起始日早於舊約到期日 11 天，顯示是主動整併續簽。 ⚠️ 不宜逕自解讀為「客戶流失」——「重要契約」之揭露以重大性為判斷、各年標準可能不同（例如 111 年版的 F 公司合約期至 118/3/3、名目上仍在效期內，卻未列於 115 年版）。據實並陳兩個時點的表列，不做定論。 三個版本一致：契約主要內容皆為「訂定雙方買賣之相關條件及權利義務」、限制條款皆「無」——均未揭露金額與數量承諾，故不能據此宣稱營收有長約保障。

4-5 其他早年獨有揭露

• 國內同業產能矩陣（200311_B05 p.8）：中美矽晶／合晶／台灣信越／台灣小松／中德電子／嘉晶／漢磊科技／尚志半導體／昇陽科技／金敏精研，按拉晶／拋光／埋藏層磊晶（分離式、積體電路）／再生晶圓與尺寸列表——最完整的一份國內磊晶競爭格局一手快照。
• 五年研發費用時序（200311_B05 p.9）：87–91 年 —／3,965／10,134／21,512／20,810 仟元；占營收 —／81.90%／4.29%／6.62%／3.80%。
• 關鍵技術研發成果表（200311_B05 p.9）：與日本東芝機械合作改善批量式磊晶反應爐，厚度均一性 ±1.5%（原廠 ±4%）、阻值均一性 ±2.0%（原廠 ±5%）、產能 1.3–1.5 倍。
• 具名客戶（早年）：201511_B04 p.51 揭露被合併方漢磊半導體晶圓之重要契約相對人 台灣半導體、尼克森微電子、Hoei Denki Co., Ltd.；同 p.50 揭露矽晶圓供應商 Siltronic AG。
• 員工人數長時序：118→137（94／95）→127→142（98／99）→145→150（102／103）→457→590（104／105）→607→678（106／107）→718→706→701（113／114／115 截至刊印日）。

五、2026/08 公開說明書（最新、本次募資）其他重點

（頁碼為 PDF 頁次；印刷頁碼 ＝ PDF 頁 − 7）

公司與治理 - 實收資本額 2,909,701,120 元（已加計 115/5/8–7/31 第五次 CB 轉換 2,428,293 股、尚未變更登記，p.3 註）；設立 87/11/09、上市 91/12/24；董事長 徐建華、總經理 温錦祥、發言人 范桂榮（副總經理）、代理發言人 陳佩媛（處長）、財務及會計主管 陳佩媛（p.3、p.16、p.31）。 - 董事會 9 席＝漢磊法人代表 4 席（徐建華、彭慎翔、范桂榮、陳其賢）＋世界先進法人代表 2 席（梁文穎、蔣經華）＋獨立董事 3 席（胡漢良、崔秉鉞、曾棟樑）；設審計委員會、無監察人（p.3）。董事選任日 114/6/13、任期 3 年。 - 徐建華另任嘉晶策略長（就任 113.01）及漢磊科技董事長暨執行長（p.16）。 - 股東結構（115/7/5）：股東 35,006 人；其他法人 62.56%／個人 31.75%／外國機構及外人 5.48%／金融機構 0.21%（p.30）。 - 漢磊科技持股：除息股東名簿列 166,961,680 股／57.50%，實際持有 152,461,680 股／52.51%（因 115/6/29 因自身資金規劃轉讓 14,500,000 股，p.30 註、p.31）。 - 世界先進於 113/9/24 認購漢磊科技私募 50,000 仟股、取得漢磊 13% 股權而列為關係人（p.54 註）；截至 115/4/14 實際持有漢磊 12.61%（p.19）。 - 簽證會計師 110–114 年連續 5 年無保留意見（p.86）；無訴訟、非訟事件（p.12）；未從事高風險高槓桿投資、資金貸與、背書保證及衍生性商品交易（p.10）。

業務與市場 - 主營：矽磊晶片、埋藏層磊晶片、多層矽磊晶片、SOI、GaN 磊晶片、SiC 磊晶片（p.43）；營業比重：磊晶晶片 100.00%（p.43）。 - 同業比較（p.48，資料來源公開資訊觀測站）：3016 嘉晶 營收 3,891,698／實收資本 2,885,418 仟元｜6182 合晶 9,817,242／5,736,383｜6488 環球晶 60,597,938／4,781,137｜3532 台勝科 12,334,292／3,878,483。嘉晶營收僅為環球晶的 6.42%（自算，基數取自公開說明書 p.48）。 - 12 吋長期威脅（p.48 原文）：「目前主流是使用 6 及 8 吋之矽磊晶片為其原始材料，但大型 IDM 廠已開始將功率元件往 12 吋廠生產的趨勢」——嘉晶製程能力止於 8 吋（p.49）。 - GaN 供應鏈重組機會（p.45 原文）：「台積電退出 GaN 代工業務引發全球供應鏈重組，各大整合元件製造商轉向更垂直整合的 GaN 製造策略，以確保晶圓供應」。 - 競爭利基五項（p.51 原文標題）：①具完整之產品線及市場知名度 ②以策略聯盟方式引進關鍵技術 ③獨立自主的研發能力 ④為台灣垂直整合的 IC 產業鏈中堅固的一環 ⑤優質的產品品質獲得客戶高度肯定。核心敘述：「市場定位採少量多樣之特質…具備高度彈性、快速、密切配合之技術服務能力與機台配置」。 - 同業差異自述（p.49 原文）：「採樣同業多可同時生產拋光晶圓和磊晶晶圓，營運規模較大，惟規格較為特殊或交期較短之磊晶產品，仍會委由磊晶技術能力較高的專業磊晶公司生產，因此磊晶專業代工有其利基市場」。 - 不利因素（p.52 原文）：「新競爭者逐漸投入市場競爭，壓縮利潤空間。加上中國大陸積極扶植其國內半導體產業，市場競爭越形激烈」；「矽晶圓…為半導體業之一環，受半導體景氣循環影響」。 - 主要原料供應（p.53 原文）：「主要原物料皆有兩家以上合格供應商…並定期進行供應商評鑑」。 - 價量差異分析：不適用——「114 年度毛利率相較前一年度之變動未達百分之二十以上，故不適用價量分析」（p.54）。 - 毛利率變動（p.53）：113 年度 382,005／9.30%；114 年度 306,495／7.88%；毛利率變動率 (15.27)%。 - 研發（p.49）：五年研發費用 68,520／70,091／88,345／72,144／56,779 仟元，占營收 1.36%／1.19%／2.09%／1.76%／1.46%；115Q1 13,932（1.32%）。研發人員 113／114 年度各 17 人 → 115 年截至刊印日 13 人（碩士 13→12→8）。近五年開發成功：第二代 High Grade SiC 磊晶片／射頻 GaN-on-Silicon／第二代 650V GaN-on-Silicon／減壓製程(RP)高電阻矽磊晶片。未來研發計畫（p.10）：八吋中低壓 GaN-on-Silicon／八吋 SiC／GaN-on-工程基板；115 年度預計研發費用 68,542 仟元。 - 員工（p.55）：113 年度 718 人／114 年度 706 人／115 年截至刊印日 701 人（直接 232／間接 469）。 - 廠區（p.60）：創新、磊新、篤行、力行、嘉積 5 廠，全在新竹科學園區，目前使用狀況皆「良好」。 - 重要契約（p.61）：甲客戶 113/12/20~119/12/19、乙客戶 109/1/21~119/1/20，主要內容「訂定雙方買賣之相關條件及權利義務」、限制條款「無」。 - 轉投資（p.61）：日本嘉晶電子株式會社 100% 持股、帳面價值 8,744 仟元（115/3/31）、114 年度損益 (717) 仟元。⚠️ 同份 p.95 轉投資檢討表列 (1,475) 仟元——兩處口徑有別，並陳不擇一；虧損原因「日本 SiC 客戶受到中國大陸的價格競爭衝擊，下單轉趨保守」，未來一年投資計畫「無」（p.95）。

財務 - 五年簡明損益（合併，公開說明書 p.85）：營收 5,043,332／5,899,587／4,236,502／4,107,470／3,891,698；營業利益 464,113／784,799／182,969／72,960／17,748；稅後淨利 380,530／681,271／164,039／264,608／20,416；EPS 1.35／2.38／0.57／0.92／0.07；115H1 營收 2,367,626／營業利益 333,689／稅後 288,329／EPS 1.00。 - 五年財務分析（公開說明書 p.87）：負債比 30.29／30.87／28.11／31.76／28.44／115H1 31.10%；ROE 8.79／13.74／3.22／5.32／0.41／115H1 11.37%；純益率 7.55／11.55／3.87／6.44／0.52／115H1 12.18%；營運槓桿度 2.01／1.58／3.75／6.98／23.57／115H1 1.60；利息保障倍數 38.96／41.27／7.44／14.43／2.19／115H1 28.15；現金流量比率 45.23／79.88／53.03／57.03／47.04／115H1 29.56%；總資產週轉率 0.80／0.83／0.58／0.58／0.54／115H1 0.65 次。 - 114 vs 113 經營結果（公開說明書 p.93）：營業利益 (75.67%)、營業外收入及支出 (95.36%)、稅前淨利 (90.84%)、本期淨利 (92.28%)；所得稅費用 8,693／53,303 → 有效稅率 114 年度 29.86%、113 年度 16.77%（自算，基數取自公開說明書 p.93）。 - 現金流量（公開說明書 p.94）：113 年度 營業 804,968／投資 (573,253)／籌資 +122,767；114 年度 營業 492,480／投資 (439,414)／籌資 (404,803)——「主係第四次無擔保可轉換公司債於 114 年 3 月 29 日到期還本所致」（p.94 原文）。 - 進貨集中（公開說明書 p.54、p.11）：113 年度前三大 48.94%（22.28＋13.70＋12.96）、114 年度前三大 54.88%（25.21＋15.14＋14.53）、115Q1 達 10% 以上者合計 42.19%（僅 A、B 兩家：29.43＋12.76）。增減原因「A 公司：114 年度及 115 年第一季係隨終端客戶需求，故對 8 吋矽晶圓採購量增加」（p.54 原文）。 - 銷貨集中（公開說明書 p.54）：113 年度 世界先進 604,997／14.73%；114 年度 世界先進 756,948／19.45%＋D 公司 418,433／10.75%；115Q1 世界先進 231,985／21.91%＋D 公司 124,135／11.72%。 - 股利（公開說明書 p.33）：113／114 年度每股現金股利各 0.5 元（114 年度總額 144,270,910 元，經 115/3/2 董事會決議）；每股淨值 分配前 113 年度 17.53／114 年度 17.12／115 年度截至 6/30 列 16.97 元（⚠️ 該數與 115/3/31 之權益/股數相符，與依 2026Q2 季報 p.6–p.7 自算之 17.94 元口徑不同，並陳）；股利政策「每年現金股利發放金額，不低於當年度發放現金股利及股票股利合計數的百分之三十」（原文）。 - 第五次 CB（公開說明書 p.35）：未償還 326,800 仟元（截至 115/7/31）；已轉換 1,732 張／面額 173,200 仟元／2,428,293 股；轉換價 71.1 元；全數轉換須發行 4,596,343 股、占已發行股份 1.79%。 - 匯率（公開說明書 p.9–p.13）：114 年度兌換損益淨額 (27,600) 仟元、占營收 (0.71)%；115Q1 +4,199 仟元、占營收 0.40%；「營運活動所產生之外幣交易以美元為大宗」；美元及日幣利率各提升 1 碼，利息費用分別約增加 594 仟元及 675 仟元。

產業 SAM／CAGR（一手所引第三方研究） | 賽道 | 數據 | 來源／頁碼 | |------|------|-----------| | 全球半導體（短期） | 2025 年 7,960 億美元、較 2024 年 +26.2%；預期 2027 年續成長 26.6% | WSTS 2026/03，公開說明書 p.43、p.73 | | 全球半導體（2026） | ⚠️ p.43–p.44 稱 2026 年較 2025 年 +89.9%、達 1.5 兆美元；p.73 未載此數；IDC 於 p.74 稱 2026 年 1.29 兆美元、+52.8%。三口徑並陳、不擇一 | WSTS／IDC，公開說明書 p.43–p.44、p.74 | | 全球半導體（長期） | 2024 年 6,270 億 → 2030 年 10,300 億美元、CAGR 8.6%；伺服器與網路半導體 2024–2030 CAGR 11.6%；運算設備 5.5% | PwC 2026/01，公開說明書 p.77 | | 晶圓代工 | 2025 年 1,994 億美元、年增逾 25%；2026 年 +17% 突破 2,300 億；2030 年挑戰 3,900 億；2025–2030 CAGR 14.3% | DIGITIMES，公開說明書 p.74 | | AI 半導體占比 | 占整體半導體比重 2023 年 9.9% → 2028 年 20.5%；2025 年約 15.1%（運算用 57.9%／通訊用 29.0%／車用 7.8%） | Gartner（工研院 2025/06 轉引），公開說明書 p.77 | | GaN 功率元件 | 2030 年達 30 億美元、CAGR 44%（⚠️ 同份 p.50 另載 CAGR 42%） | Yole，公開說明書 p.45、p.50 | | SiC 功率元件 | 2030 年達 100 億美元、CAGR 約 20%，車用市場占比將超過七成（⚠️ 同份 p.50 另載 CAGR 20.2%） | Yole，公開說明書 p.45、p.50 | | 矽光子 | 2025 年 28.9 億 → 2026 年 37.1 億 → 2034 年 214.9 億美元、2026–2034 CAGR 28.5%。⚠️ 該一手自身不自洽：以其自載起訖數反推 CAGR 為 24.6%（自算，基數取自公開說明書 p.76） | Polaris Market Research 2026/06，公開說明書 p.75–p.76 | | 矽光子（交叉口徑） | 2025 年 28 億 → 2030 年 96 億美元、2026–2030 CAGR 28%（Wissen 2026/03）；2025 年 28.3 億／2026 年 39.6 億 → 2031 年 131.8 億美元、2026–2031 CAGR 27.19%（Mordor Intelligence） | 公開說明書 p.76 | | 台灣半導體產值 | 2026 年 7.1 兆新台幣、+24.4%；晶圓代工 4.6 兆、+27%；IC 封測 7,787 億、+17%；記憶體/IDM 3,999 億、+116% | 資策會 MIC（工研院圖），公開說明書 p.46 |

獨立驗算（自算，基數取自公開說明書 p.76、p.77）：PwC (10,300÷6,270)^(1/6)−1 ＝ 8.62% ✅ 與所載 8.6% 相符；Wissen (96÷28)^(1/5)−1 ＝ 27.95% ✅ 與所載 28% 相符；Mordor (131.8÷39.6)^(1/5)−1 ＝ 27.19% ✅ 完全相符；Polaris (214.9÷37.1)^(1/8)−1 ＝ 24.55%、與所載 28.5% 不符（改以 2025 年 28.9 億起算九年亦僅 24.97%）——同表其餘各項反推值均與所載相符，僅 Polaris 一項不自洽，原文照錄並標示落差、不代為擇一。

矽光子的定位（公開說明書 p.75、p.78 原文） - 「本公司多年來致力於磊晶晶片生產及研發，已開發及量產鍺矽(Ge/Si)磊晶矽光子晶片產品，主係應用於光偵測器(PD)元件」（p.75）。 - 「鍺/矽(Ge/Si)矽光子磊晶晶片具備高頻寬、低功耗及與 CMOS 製程高度相容等優勢，主要應用於 AI 資料中心、高速光模組與 CPO 架構，是支撐 800G 以上光互連的關鍵核心元件」（p.75）。 - 「本公司已成功開發及量產鍺矽(Ge/Si)磊晶矽光子晶片產品，具有先期投入市場的領先優勢」（p.78）。

六、公開說明書層級的資料缺口（據實標明）

1. 本次募資後的產能絕對數字：公開說明書 p.69、p.78–p.80 僅給增量（115 年 +400 片、116 年 +153,400 片、117 年 +246,840 片、118 年 +290,400 片），未給擴產後總產能。真缺口。
2. 各晶圓尺寸（4/5/6/8 吋）營收或量值：21 份中確無按尺寸拆分之營收或量值；僅有質性描述（200311_B05 p.8、p.10「分離式元件用磊晶 4–6 吋、埋藏層磊晶 6–8 吋」；202608_B05 p.54「8 吋矽晶圓採購量增加」、p.50 短期計畫「增加大尺寸晶片產品」）。公開說明書層級為真缺口（法說會簡報則有，詳〈法說會整理〉第二節）。
3. 材料別／技術別（矽／SiC／GaN／Ge-Si）之當期營收金額：現行公開說明書僅列磊晶晶片 100%（p.43）。惟兩個替代來源存在：①募資效益表逐年給出 SiC 與磊晶矽晶圓的實際生產量／銷售值／營業毛利（p.63、p.67）②早年公開說明書有「生產 vs 代工」拆分（見第四節）。應表述為「當期材料別營收金額未直接揭露」，而非「全缺口」。
4. 客戶家數／用戶數：21 份皆無。真缺口。
5. 關係人銷貨之訂價政策與市價比較基礎：未揭露。真缺口。
6. 第六次 CB 與現增之最終定價：現增暫訂 90 元、CB 轉換價暫訂 105.0 元（p.69、p.82 註2），尚未定案，引用時均應標「暫訂」。
7. 101106_B05（100 年第二次有擔保 CB 正式版）為全書掃描件、無文字層：封面與承銷/會計師頁已以 300dpi 轉圖判讀取得案由與關係人，內文其餘章節改以同案之 201104／201105_B021 稿本互證。

本頁所有數字均可回查 _事實底稿_2026-08-12.md 與 _文件/公開說明書/ 內 21 份原始 PDF；2026/08 公開說明書之頁碼為 PDF 頁次（印刷頁碼 ＝ PDF 頁 − 7）。資料截至 2026-08-12，最新募資文件為 115/08/10 刊印之 2026/08 公開說明書（202608_B05）。