3016 嘉晶電子 最新年報整理 最新年報重點整理（2025／民114 年度）
版本：v1 (2026-06-13)
本頁為嘉晶電子（Episil-Precision Inc.，代號 3016）年報（以 2025／民114 年度為主、輔以 2021-2024 年報與公開說明書補齊 5 年）的結構化重點整理；所有數字回查 _事實底稿_2026-06-11.md A/B/C/E 區、附年報頁碼。⚠️ 2025 年報僅列 2024／2025 兩年對照、無完整 5 年比率表，故 2019-2023 五年財務以公開說明書 202407 B05 p.74 補齊（L3）。最終母公司為漢磊科技持股 57.86%（2025 年報 p.5，L2）。
一、商業模式與業務範圍
- 核心業務（純磊晶代工）：矽磊晶片、埋藏層磊晶片、多層矽磊晶片、矽磊晶於 SOI、GaN 磊晶片、SiC 磊晶片之製造（2025 年報 p.54，L2）。品牌 EPI / Epitaxy Service since 1998（2025 年報 p.5，L2）。
- 計畫開發新商品：(1) 八吋中低壓 GaN-on-Silicon 磊晶片；(2) 八吋 SiC 磊晶片（2025 年報 p.54，L2）。
- 營業比重（年報口徑）：年報僅以單一品項「磊晶晶片」列示 → 2025 年度磊晶晶片營收 3,891,698 仟元、比重 100.00%；2024 年度 4,107,470 仟元、100.00%（2025 年報 p.54，L2）。⚠️ 年報未對矽磊晶／GaN／SiC／矽光子做財務 segment 拆分（缺口，見〈完整分析〉⑪）。
- 產品組合占比（管理層口述、非財報，L1）：2026Q1 矽產品約 90%、SiC+GaN 試產約 10%、矽光子（Germanium on Silicon PD）量小；8 吋占比由 2025Q1 的 55% 升至 2026Q1 的 70%（2026-04-29 法說會 董事長 00:26:04 / CEO 00:08:39，L1）。
產品用途（2025 年報 p.60，L2）
| 產品 |
用途 |
| 矽磊晶片（埋藏層） |
Power MOSFET、小信號二極體、CMOS、超大型 IC 基本材料 |
| 多層矽磊晶片 |
超低導通電阻功率場效電晶體 |
| 矽磊晶 SOI |
RF IC |
| GaN 磊晶片 |
通訊、軍用、太空、高速高壓高電流功率（崩潰電壓 10 倍優於矽） |
| SiC 磊晶片 |
高溫超高壓高電流功率（如 1200V 應用、降低導通電阻） |
二、歷年營收／獲利軌跡（近 7 年）
7 年營收／EPS（2019-2023 取公開說明書 202407 B05 p.74，L3；2024/2025 取 2025 年報 p.1/p.68，L2）
| 年度 |
2019 |
2020 |
2021 |
2022 |
2023 |
2024 |
2025 |
| 營收(億) |
38.55 |
40.39 |
50.43 |
59.00 |
42.37 |
41.07 |
38.92 |
| EPS(元) |
0.04 |
0.09 |
1.35 |
2.38 |
0.57 |
0.92 |
0.07 |
循環型態：2022 年創高 59.00 億後（2025 年報 p.68 對照基期，L2），2023 年半導體下行重摔至 42.37 億（YoY −28%）、2024 年 41.07 億、2025 年 38.92 億，連 3 年下滑；2026 起回升（見〈季報整理〉）。ROE 2019→2023 為 0.27% / 0.65% / 8.79% / 13.74% / 3.22%，高低落差極大（公開說明書 202407 B05 p.74，L3）。
近兩年經營結果比較（2025 年報 p.68 經營結果比較分析表，仟元，L2）
| 項目 |
2025 年度 |
2024 年度 |
增減 |
| 營業收入淨額 |
3,891,698 |
4,107,470 |
(5.25%) |
| 營業毛利 |
306,495 |
382,005 |
(19.77%) |
| 營業利益 |
17,748 |
72,960 |
(75.67%) |
| 營業外收入及支出 |
11,361 |
244,951 |
(95.36%) |
| 稅前淨利 |
29,109 |
317,911 |
(90.84%) |
| 本期淨利 |
20,416 |
264,608 |
(92.28%) |
| 每股盈餘(元) |
0.07 |
0.92 |
— |
⚠️ 2024 年 EPS 0.92 的真相：2025 年報 p.68 明列 2024 年營業外收入 244,951 仟元主因為「2024 年處分不動產、廠房及設備利益及兌換利益增加、墊高基期」（L2）。即 2024 年高獲利大半來自一次性業外處分、非本業；2025 年業外回落至 1,136 萬、稅後淨利暴跌至 2,041.6 萬（EPS 0.07），本業營業利益由 7,296 萬 → 1,774.8 萬（−75.67%）。本業真實獲利應以 2025 年的近乎打平為基準看待。
2025 獲利侵蝕主因（致股東 p.1，L2）：董事長親述 2025 稅後淨利僅 2,041.6 萬元，主因「電力成本上升 + 為因應下一代製程（碳化矽）而增加的研發投入及折舊」——循環底部疊加轉型投入期的典型壓力。
三、股利政策（FinMind 量化錨點，所屬盈餘年度）
| 盈餘年度 |
108 |
109 |
110 |
111 |
112 |
113 |
114 |
| 現金股利(元) |
0.2472 |
0.2496 |
1.1848 |
2.0 |
0.5 |
0.5 |
0.4969 |
皆無股票股利、隨獲利波動（高點 111 年 2.0 元、低點 108-109 年約 0.25 元）。114 年度（2025）年報宣告值為 每股 0.5 元（115/3/2 董事會決議發放現金股利共 144,270,910 元，2025 年報 p.50，L2）；FinMind 0.4969 元為除權息調整後實際值，以年報宣告 0.5 元為準（🔶 微差，見事實底稿 J 區）。
四、研發（2025 年報 p.57 / p.69，L2）
- 2025 年度研發費用 56,779 仟元、占營業淨額 1.46%；截至 2026/3/31（2026Q1）研發費用 13,932 仟元、占 1.32%；2026 年度預計研發費用 68,542 仟元（2025 年報 p.57 / p.69，L2）——研發投入逐年加大，是 2025 獲利被侵蝕原因之一。
- 2025 開發成功技術：①第二代 High Grade SiC 磊晶片 ②射頻 GaN-on-Silicon 磊晶片 ③第二代 650V GaN-on-Silicon 磊晶片 ④減壓製程（RP）高電阻矽磊晶片（2025 年報 p.57，L2）。
- 專利：已取得中華民國 7 項、美國 2 項、中國大陸 2 項、日本 1 項（2025 年報 p.57，L2）。
- 製程：已發展至 6、8 吋磊晶矽晶圓及 6、8 吋埋藏層磊晶、技術層次躋身國際水準、獲國內外半導體大廠認證採用（2025 年報 p.57，L2）。
五、競爭利基與認證（2025 年報 p.58-59，L2）
- 完整產品線 + 市場知名度：全球重要矽磊晶材料供應商、少量多樣客製化、高度彈性快速交期。
- 認證壁壘（車規）：ISO 9001:2015、IATF 16949:2016（車規）、ISO 14001:2015、ISO 45001:2018（2025 年報 p.59，L2）——磊晶代工通過驗證導入量產後切換成本高。
- 垂直整合：為台灣垂直整合 IC 產業鏈中堅一環、與上下游緊密結合。
- 競爭壓力：新競爭者投入壓縮利潤；中國大陸積極扶植半導體、主導 SiC 市場、價格下跌造成不健康環境（2025 年報 p.59，L2）。
六、客戶與銷售地區（2025 年報 p.58 / p.61，L2）
- 主要客戶（占銷貨 10% 以上，2025 年報 p.61）：A 公司 756,948 仟元 / 19.45%（「對本集團具重大影響力之個體」）、B 公司 418,433 仟元 / 10.75%（無關係）；前 2 大合計約 30.2%。
- 進貨集中：占進貨總額 10% 以上廠商合計約 55%（B 25.21% + C 15.14% + A 14.53%，2025 年報 p.70，L2）；主要原物料皆有兩家以上合格供應商（2025 年報 p.61，L2）。
- 銷售地區（2025 年報 p.58）：台灣 58.68%（2,283,717 仟元）／日本 20.61%（802,156）／中國大陸 1.12%（43,393）／其他 19.59%。2024 年度中國大陸 2.62% → 2025 年 1.12%，中國占比逐年下滑、與「非中國供應鏈」策略一致。
- 重要長約（2025 年報 p.66，L2）：銷售合約 E 客戶（2024~2030 年）、I 客戶（2020~2030 年）。
七、產業 SAM·CAGR（2025 年報 p.54-55，研究機構數據，L3/L5）
- 全球半導體（WSTS, Dec 2025）：2025 年 7,722.43 億美元（YoY +22.5%），預估 2026 年 +26.3%；IC / 分離式元件 2026F 各 +7.5% / +8.2%（2025 年報 p.54，L3）。
- GaN 功率元件（Yole, Oct 2025🔶L5）：2024 年 3.6 億美元 → 2030 年 29 億美元、CAGR 約 42%（2025 年報 p.54-55，L3/L5）。
- SiC 功率元件（Yole, May 2025🔶L5）：2024 年 34 億美元 → 2030 年 103 億美元、CAGR 約 20.2%、2030 應用 Automotive&Mobility 71%（2025 年報 p.55，L3/L5）。
- AI 與資料中心、智慧電網與儲能、電動車推升高效率功率元件；大型 IDM 開始將功率元件往 12 吋廠生產（2025 年報 p.56，L2）。
八、財務結構與公司債（2025 年報 p.67 / p.52-53，L2）
- 負債比 2025 年度約 28.4%（負債總額 1,963,407 / 資產總額 6,903,047，2025 年報 p.67，L2 推算）；結構穩健、無高槓桿（歷史 2019→2023 為 36.57%~28.11%，公開說明書 202407 B05 p.74，L3）。
- 公司債：2024/07/26 發行「國內第五次無擔保轉換公司債」，總面額 5 億元、票面利率 0%、3 年期、到期 2027/07/26、轉換價自 2025/07/15 由 72.6 元調整為 71.4 元、截至 2026/04/14 尚無轉換（2025 年報 p.52-53，L2）——0% 利率對財務成本友善。
- 無重大訴訟、無企業形象重大改變、無重大資安事件（2025 年報 p.70-71，L2）。
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