本頁為嘉晶電子(Episil-Precision Inc.,代號 3016)本地 5 本年報的結構化重點整理,涵蓋 民國 110(2021)~ 114(2025)年度(檔名年份即所屬西元年度)。頁碼為年報之印刷頁碼(本組 5 本一致:印刷頁 = PDF 頁 − 3)。
⚠️ 技術說明:2021–2024 四本年報之中文字層為自訂 CID 編碼(Identity-H 子集字型、無 ToUnicode),一般文字抽取為亂碼。本次係先反解字型 glyph 對應表取得全文,再以 300dpi 轉圖逐格抽驗(2021 年報印刷 p.57、2025 年報印刷 p.58 及 p.3–4)交叉驗證,兩軌完全一致。2025 年報印刷 p.3–4(董事資料表,直式排版)為純圖層,必須轉圖才讀得到。
| 年報 | 所屬年度 | PDF 頁數 | 是否含生產/銷售量值表 | 是否含完整財報 | 簽證會計師 |
|---|---|---|---|---|---|
| 3016_2021_年報.pdf | 民110(2021) | 210 | ✅(109/110 年度) | ✅ | 謝智政、林玉寬(資誠) |
| 3016_2022_年報.pdf | 民111(2022) | 212 | ✅(110/111 年度) | ✅ | 謝智政、林玉寬(資誠) |
| 3016_2023_年報.pdf | 民112(2023) | 221 | ✅(111/112 年度) | ✅ | 謝智政、呂坤鑫(資誠) |
| 3016_2024_年報.pdf | 民113(2024) | 73 | ❌ 整組刪除 | ❌ 刪除 | 徐坤儀、謝智政(資誠) |
| 3016_2025_年報.pdf | 民114(2025) | 77 | ❌ | ❌ | 李典易、謝智政(資誠) |
★ 113 年度(2024)年報起,「生產量值表/銷售量值表」「公司簡介/沿革」「財務概況(完整財報)」三大章節整組被刪除,頁數由 221 頁驟降至 73 頁。 因此「年報未揭露產銷量值」對 2024/2025 兩本成立、對 2021–2023 三本不成立——查早年資料必須往前翻。
生產量值(單位:層;仟元)
| 年度 | 產能 | 產量 | 產值 | 產能利用率 | 出處 |
|---|---|---|---|---|---|
| 109 | 4,976,000 | 4,129,821 | 4,022,450 | 82.99% | 2021 年報 p.57 |
| 110 | 4,976,000 | 4,887,977 | 5,057,601 | 98.23% | 2021 年報 p.57/2022 年報 p.61 |
| 111 | 5,106,000 | 4,523,856 | 5,824,562 | 88.60% | 2022 年報 p.61/2023 年報 p.65 |
| 112 | 5,146,000 | 2,906,320 | 4,205,912 | 56.48% | 2023 年報 p.65 |
| 113 | 5,144,500 | 3,046,580 | 4,093,956 | 59.22% | 2026/08 公開說明書 p.60(年報已刪表) |
| 114 | 5,058,285 | 3,343,314 | 3,872,627 | 66.10% | 2026/08 公開說明書 p.60(年報已刪表) |
(109–112 之產能利用率係由年報「產量 ÷ 產能」精確還原,與公開說明書所載完全吻合,屬雙來源互證;113/114 兩年僅公開說明書 p.60 有)
銷售量值與 ASP(單位:片;仟元;ASP 為自算)
| 年度 | 內銷量 | 內銷值 | 內銷ASP | 外銷量 | 外銷值 | 外銷ASP | 總銷量 | 總銷售值 | 總ASP |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 109 | 2,604,650 | 2,340,255 | 898.5 | 1,433,418 | 1,698,925 | 1,185.2 | 4,038,068 | 4,039,180 | 1,000.3 |
| 110 | 2,955,781 | 2,791,166 | 944.3 | 1,751,516 | 2,252,166 | 1,285.8 | 4,707,297 | 5,043,332 | 1,071.4 |
| 111 | 2,648,123 | 3,169,389 | 1,196.8 | 1,623,858 | 2,730,198 | 1,681.3 | 4,271,981 | 5,899,587 | 1,381.0 |
| 112 | 1,685,422 | 1,925,955 | 1,142.7 | 886,572 | 2,310,547 | 2,606.0 | 2,571,994 | 4,236,502 | 1,647.2 |
| 113 | 2,171,635 | 2,238,708 | 1,030.9 | 769,269 | 1,868,762 | 2,429.3 | 2,940,904 | 4,107,470 | 1,396.7 |
| 114 | 2,427,197 | 2,283,717 | 940.9 | 843,248 | 1,607,981 | 1,907.0 | 3,270,445 | 3,891,698 | 1,190.0 |
(109–112 取 2021 年報 p.57/2022 年報 p.61/2023 年報 p.65;113–114 取 2026/08 公開說明書 p.55;ASP=值÷量之自算值。各年內外銷加總與同年營收淨額完全一致,內部自洽)
★ 六年量價的三個讀點(皆為自算,基數取自上表之年報與公開說明書原始數)
(來源:2021 年報 p.53/2022 年報 p.57/2023 年報 p.61/2024 年報 p.54/2025 年報 p.58;單位:仟元)
| 年度 | 台灣(內銷) | 日本 | 中國大陸 | 其他 | 合計 |
|---|---|---|---|---|---|
| 109 | 2,340,255(57.94%) | 865,768(21.43%) | 478,424(11.85%) | 354,733(8.78%) | 4,039,180 |
| 110 | 2,791,166(55.34%) | 1,068,995(21.20%) | 629,903(12.49%) | 553,268(10.97%) | 5,043,332 |
| 111 | 3,178,107(53.87%) | 1,484,141(25.16%) | 503,822(8.54%) | 733,517(12.43%) | 5,899,587 |
| 112 | 1,925,955(45.46%) | 1,491,222(35.20%) | 214,844(5.07%) | 604,481(14.27%) | 4,236,502 |
| 113 | 2,238,708(54.50%) | 914,677(22.27%) | 107,521(2.62%) | 846,564(20.61%) | 4,107,470 |
| 114 | 2,283,717(58.68%) | 802,156(20.61%) | 43,393(1.12%) | 762,432(19.59%) | 3,891,698 |
銷貨占 10% 以上之客戶(年報以代號揭露)
| 年度 | 客戶 | 金額(仟元) | 占比 | 與發行人關係 | 出處 |
|---|---|---|---|---|---|
| 109/110 | — | — | — | 未有占銷貨總額 10% 以上之客戶 | 2021 年報 p.56 |
| 111 | A 公司 | 688,579 | 11.67% | 母公司(漢磊科技) | 2022 年報 p.61 |
| 111 | B 公司 | 667,491 | 11.31% | 無 | 2022 年報 p.61 |
| 112 | B 公司 | 797,501 | 18.82% | 無 | 2023 年報 p.65 |
| 113 | A 公司 | 604,997 | 14.73% | 對本集團具重大影響力之個體 | 2024 年報 p.58 |
| 114 | A 公司 | 756,948 | 19.45% | 對本集團具重大影響力之個體 | 2025 年報 p.62 |
| 114 | B 公司 | 418,433 | 10.75% | 無 | 2025 年報 p.62 |
★ 依 2026/08 公開說明書 p.54 之具名表,114 年度之 756,948 仟元/19.45% 即世界先進積體電路(自 113/9/24 起因認購母公司漢磊科技私募 50,000 仟股、取得 13% 股權而列為關係人)。客戶集中度由「109/110 年完全沒有 10% 以上客戶」演變為「114 年前二大合計 30.20%」(自算,基數取自 2025 年報 p.62)。
進貨占 10% 以上之供應商(單位:仟元)
| 年度 | B 公司 | C 公司 | A 公司 | 其他 | 進貨淨額 |
|---|---|---|---|---|---|
| 109 | 517,140(24.37%) | 242,117(11.41%) | 459,304(21.65%) | 903,317 | 2,121,878 |
| 110 | 687,823(26.27%) | 364,582(13.92%) | 504,056(19.25%) | 1,062,069 | 2,618,530 |
| 111 | 709,161(24.89%) | 424,241(14.89%) | 473,409(16.62%) | 1,241,965 | 2,848,776 |
| 112 | 338,742(18.49%) | 不適用 | 288,484(15.75%) | 1,204,787 | 1,832,013 |
| 113 | 387,855(22.28%) | 238,476(13.70%) | 225,615(12.96%) | 889,234 | 1,741,180 |
| 114 | 391,233(25.21%) | 234,929(15.14%) | 225,468(14.53%) | 700,479 | 1,552,109 |
(出處:2021 年報 p.56/2022 年報 p.60/2023 年報 p.64/2024 年報 p.57/2025 年報 p.61。⚠️ 年報之 A/B/C 代號與 2026/08 公開說明書 p.54 之代號排序不同,不可直接對應)
研發費用(含次年預算 vs 實際落差)
| 年度 | 預算(前一年報所載) | 實際(仟元) | 占營收比 | 預算達成落差 | 出處 |
|---|---|---|---|---|---|
| 110 | — | 68,520 | 1.36% | — | 2021 年報 p.52 |
| 111 | 86,349 | 70,091 | 1.19% | (18.8%) | 2021 年報 p.201/2022 年報 p.56 |
| 112 | 68,656 | 88,345 | 2.09%(五年最高) | +28.7% | 2022 年報 p.203/2023 年報 p.60 |
| 113 | 59,897 | 72,144 | 1.76% | +20.4% | 2023 年報 p.207/2024 年報 p.53 |
| 114 | 63,214 | 56,779(五年最低) | 1.46% | (10.2%) | 2024 年報 p.65/2025 年報 p.57 |
| 115 | 68,542 | 115H1 已投入 28,805 | 1.22%(115H1) | 待驗 | 2025 年報 p.69/2026Q2 季報 p.8 |
★ 「115 年度研發費用預計回升至 68,542 仟元」須打折看待:歷史四次預算 vs 實際的落差為 (18.8%)/+28.7%/+20.4%/(10.2%)(皆為自算,基數取自各年報),年報所編研發預算的預測力有限。 「114 年研發費用為五年最低」之宣稱經逐格驗算成立(68,520/70,091/88,345/72,144/56,779,2025 年報 p.57)。
專利(★連續四年零成長)
| 年報 | 中華民國 | 美國 | 中國大陸 | 日本 | 備註 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2021(110) | 7(已核准) | 2(已核准) | 2(僅提出申請、尚未核准) | 1(已核准) | 2021 年報 p.52 |
| 2022(111) | 7 | 2 | 2(已取得) | 1 | 2022 年報 p.57 |
| 2023(112) | 7 | 2 | 2 | 1 | 2023 年報 p.61 |
| 2024(113) | 7 | 2 | 2 | 1 | 2024 年報 p.53 |
| 2025(114) | 7 | 2 | 2 | 1 | 2025 年報 p.57 |
★ 專利組合自 111 年度起連續四年完全不變(7/2/2/1)——在 SiC/GaN/矽光子三線並進的期間,智財累積為零成長,是「技術壁壘」論述的負面證據。
員工人數(合計):109 638(直 273/間 365)|110 611(258/353)|111 734(294/440)|112 703(269/434)|113 718(257/461)|114 706(249/457,截至刊印日 702)。 (出處:2021 年報 p.57/2022 年報 p.61/2023 年報 p.65/2024 年報 p.58/2025 年報 p.62) → 直接人工自 111 年 294 人降至 114 年 249 人((15.3%),自算),間接人工反由 440 人升至 457 人——人力結構往間接傾斜。
開發成功之技術(逐年):110 射頻 GaN-on-SiC 磊晶量產技術、超高電阻矽磊晶量產技術(2021 年報 p.52)|111 射頻 GaN-on-Silicon、第二代 650V GaN-on-Silicon(2022 年報 p.56)|112 第二代 High Grade SiC、射頻 GaN-on-Silicon(2023 年報 p.60)|114 加入減壓製程(RP)高電阻矽磊晶片(2025 年報 p.57)。 未來研發計畫:2024 年報 p.65 為「八吋中低壓 GaN-on-Silicon/八吋 SiC」二項;2025 年報 p.69 新增第三項「GaN-on-工程基板磊晶技術」。
(來源:2021 年報 p.2/2022 年報 p.2/2023 年報 p.2/2024 年報 p.2/2025 年報 p.54–55,皆為年報所引 Yole Développement 預測)
| 年報(所屬年度) | 預測期間 | SiC CAGR | GaN CAGR |
|---|---|---|---|
| 2021(110) | 2019–2025 | 30% | 70% |
| 2022(111) | 110–116 | 34% | 59% |
| 2023(112) | 111–117 | 31% | 49% |
| 2024(113) | 112–118 | 24% | 41% |
| 2025(114) | 2024–2030 | 20.2%(34 億 → 103 億美元) | 42%(3.6 億 → 29 億美元) |
★★ 這是「化合物半導體題材降溫」最乾淨的一手證據:SiC 的 CAGR 預期由 34%(111 年)連四年下修至 20.2%(114 年)、幾乎腰斬;GaN 由 70%(110 年)降至 41–42%。引述來源全部是公司自己年報所引的同一家機構(Yole),口徑一致、可逐年對照。 ⚠️ 口徑註記:2025 年報 p.55 之 SiC 圖註明「資料來源:Yole, May 2025,Episil-Precision Inc. 估算 2024 市場規模」——34 億美元的基期是公司自估、非 Yole 原始值,引用時應標明。 ⚠️ 同一集團文件內另有第三種口徑:2026/08 公開說明書 p.45 載「Yole 預測 SiC 2030 年達 100 億美元、年複合成長率約 20%;GaN 2030 年達 30 億美元、複合年增長率達 44%」,而同一份公開說明書 p.50 又載「至 2030 年 Power SiC CAGR 20.2%、Power GaN CAGR 42%」(與 2025 年報一致)。同一份公開說明書內部即有兩套口徑,須並陳、不擇一。 獨立驗算:(103÷34)^(1/6)−1 = 20.29%;(29÷3.6)^(1/6)−1 = 41.59%(自算,基數取自 2025 年報 p.54–55)——年報所載 20.2%/42% 與反推值相符(20.2% 精確應為 20.3%,落差 0.1pp)。
惟致股東報告書逐年給了化合物磊晶的成長率:110 年「較前一年度呈倍數成長」(2021 年報 p.1)、111 年「較前一年成長 64%」(2022 年報 p.1)——這是年報中唯一的產品別量化資訊。 另財報附註層級有「自製銷售 vs 代工」二分:114 年度 磊晶晶片銷售 2,603,091/磊晶代工 1,269,558/其他 19,049 仟元(2025Q4 季報 p.64),詳見〈季報整理〉。
本頁所有數字均可回查 _事實底稿_2026-08-12.md 與 _文件/年報/ 內 5 本原始 PDF;頁碼為年報印刷頁碼(=PDF 頁 − 3)。資料截至 2026-08-12,最新年報為 2025 年報(民國 114 年度)。