3016 嘉晶電子 法說會整理　11 場法說會簡報重點整理（2017-04-13 ～ 2026-04-29）

本頁為嘉晶電子（Episil-Precision Inc.，代號 3016）11 場法說會簡報（中文＋英文共 22 份）的結構化重點整理，涵蓋 2017-04-13 ～ 2026-04-29，係公開資訊觀測站實證之完整場次。

⚠️ 三項引用紀律（務必先讀） 1. 僅 2 場有逐字稿（2025-09-17、2026-04-29），且兩份逐字稿皆有 AI 轉錄誤植（詳第五節）。所有財務數字一律以法說會簡報 PDF 與季報為準，逐字稿僅取質化敘述。 2. 圖表對位風險：多場簡報的圓餅圖／長條圖為圖片，文字層抽出的數列順序常與圖例順序相反。本整理所有標記 (圖) 之數字係經 300dpi 轉圖目視判讀，並以中英兩版交叉驗證。 3. 頁次一律以中文版為準；英文版頁數常多 1 頁（多一張 Contents 或 Q&A），2017／2018 場另有中英內容不一致之處，已逐項註明。

一、11 場清單與揭露顆粒度變化（★本頁最重要的一張表）

★★ 揭露顆粒度的系統性降級：2017–2022 六場曾逐項揭露產能絕對數、產品別占比、季營收絕對金額、含毛利率與營益率的區間財測；2023 年起全數消失，僅剩 YoY／QoQ 百分比與堆疊圖。2026-04-29 場恢復揭露晶圓尺寸別占比（法說會簡報 p.9）並改為一年兩次（董事長 2026-04-29 法說會 [00:00:55]），是揭露密度回升的第一個訊號。 這比「公司不揭露」更貼近事實：公司過去揭露得多，近三年才收斂。

二、★晶圓尺寸別占比（8 吋轉型的完整一手證據）

（來源：2021-11-15 法說會簡報 p.10（圖）、2026-04-29 法說會簡報 p.9（圖）；皆為 300dpi 轉圖判讀之資料標籤）

• ★ 8 吋占矽磊晶營收比重 38%（21Q1~Q3）→ 55%（25Q1）→ 70%（26Q1），三場一手獨立佐證、趨勢單調上升；同期 4 吋自 10% 萎縮至 2%。此與 CEO 口述「8 吋占矽磊晶 25Q1 55% → 26Q1 70%」（2026-04-29 法說會 [00:08:39]）完全一致。
• 2026-04-29 法說會簡報 p.8 另有「4"/5"/6" vs 8"」並列柱狀圖與兩條反向趨勢線（無資料標籤，但縱軸可讀）：8 吋自 25Q1 約 $430M 升至 26Q1 約 $655M，小尺寸自約 $355M 降至約 $285M（軸讀近似值）。與 p.9 之百分比交叉驗算自洽（655÷940 ≈ 70%、430÷785 ≈ 55%）。
• ⚠️ 判讀陷阱：2026-04-29 法說會簡報 p.9 之文字層只抽得到 2025 那張圓餅、且順序為 10/15/55/20（與圖例序 4/5/6/8 不同，直接照抄會把 6 吋與 8 吋對調）；2026 那張的 2/10/18/70 文字層完全抽不到。必須轉圖判讀。

三、產品線營收時序（★早年有金額與占比、近年只剩百分比）

產品別占比（帶資料標籤，皆為轉圖判讀）

⚠️ 同一數列在不同場次的標籤不一致：約 20.9%@FY2017 的那一列，2017 場稱 PMIC、2018 兩場稱 代工(埋藏層磊晶)、2019/2020 場稱 Power IC。引用時務必註明場次與當場標籤，不可跨場合併。 ⚠️ 報告易漏的第三條產品線 MLBL：2021-11-15 法說會簡報 p.7／p.8、2022-09-22 簡報 p.5、2023-09-21 簡報 p.7 的營收圖均有 MLBL（8" Multi-Layer BL，8 吋多層埋藏層磊晶）獨立系列，23Q2 曾達約 $140M（軸讀）；2024 年起此系列自簡報消失。

季營收絕對金額（唯一一場帶金額標籤）（2022-09-22 法說會簡報 p.5）

（GM% 右軸自約 10.5% 升至約 20.3%，2022-09-22 法說會簡報 p.5）

近年產品線 YoY／QoQ（僅百分比、無金額）

SiC 季營收軌跡（軸讀近似值，2024-09-11 法說會簡報 p.8、2025-09-17 法說會簡報 p.8、2026-04-29 法說會簡報 p.12） 23Q1 $85M → 23Q4 $137M → 24Q1 $187M（峰值） → 24Q2 $74M → 24Q3 $48M → 24Q4 $21M（谷底、自峰值 (89%)） → 25Q1 $45M → 25Q2 $50M → 26Q1 約 $47M GaN：23Q1 $49M → 24Q3 $77M → 25Q2 $41M → 26Q1 約 $62M

四、★產能絕對數字與資本支出承諾（2017–2021 有、2022 後消失）

★ 對照一手實績：2021-11-15 法說會簡報 p.13 宣示「SiC 產能將約為 2021 年的 7~8 倍」，而 114 年度 SiC 實際僅生產銷售 2,558 片、營業毛利 (21,369) 仟元（2026/08 公開說明書 p.67）——擴產倍數兌現、需求未兌現。

五、★逐字稿誤植更正表（僅 2 場有逐字稿，且皆有 AI 轉錄錯誤）

5-1　2025-09-17 逐字稿（嘉晶＋漢磊聯合法說；全部財務數字不可用）

該場 AI 先轉英文再回譯，造成三類系統性錯誤：幣別錯（新台幣→人民幣／美元）、量級錯（10 倍或 10 分之一）、公司歸屬錯（嘉晶↔漢磊）。

(A) 幣別／量級誤植（正確值一律以 2025-09-17 法說會簡報 p.4／p.5 為準）

(B) 期別誤植：整份 Memo 把 2025H1 標成 24H1；「去年上半年 GaN (21%)、SiC (64%)」應為 25H1 YoY；「24Q4 產量回升」「24H2 高單位數成長」應為 25Q4／25H2；「25 年 8 吋預期雙位數成長」應為 26 年。

(C) ★公司歸屬誤植（這些不是嘉晶 3016）

(D) 專有名詞音譯誤植（可還原）：「AP」→ EPI（磊晶）；「合金」→ 化合物磊晶；「細鋁結構／細粒金屬／優質晶體」→ 矽磊晶；「化學半導體」→ 化合物半導體；「GEND EPI／GAM／Gain Nitro」→ GaN；「SIGCOMM CARBIDE／氮化矽(SiC)」→ SiC；「年度時尚週」→ 年度法人說明會。 「VENGA／MENGA／Binga／World Finance」15 處以上——依語境高度可能指世界先進（Vanguard, VIS），惟屬推論、未經一手定讞，不得直接寫入報告。

(E) 人名：逐字稿作「溫金翔」；2026 場逐字稿作「溫瑾祥／溫筳祥」。一手權威寫法為「温錦祥」（2026/08 公開說明書 p.3 摘要頁、p.16 經理人表），本整理與報告一律採公開說明書寫法。「劉燦文」為漢磊科技總經理、非嘉晶，其發言不可歸給嘉晶。

5-2　2026-04-29 逐字稿（品質較佳，但仍有誤植）

時間戳驗證：報告所引 24 個時間戳內容全部可在逐字稿找到對應原話、無憑空捏造。惟三處戳位建議微調——[00:22:26] 與 [00:27:37]（下半年優於上半年）實際落在 [00:24:18] 段；[00:45:25]（Innoscience 競爭）實際在 [00:47:40] 段，[00:43:15] 段僅有「相較國際 IDM 大廠 GaN…客戶低壓 GaN 專利」。

發言人結構（一手支持）：董事長＝徐建華、總經理（CEO）＝温錦祥（[00:03:14] 本人自稱「我是嘉晶電子總經理」）——兩位為不同人，但「CEO」與「總經理」是同一職位。副總經理暨發言人＝范桂榮（2026/08 公開說明書 p.3）。 交接可獨立交叉驗證：法說會簡報封面署名 2018–2024 場為「CT Sune」（前總經理孫慶宗）→ 2025、2026 場改為「JS Wen」，與 2026/08 公開說明書 p.31 註5「原總經理孫慶宗屆齡退休、温錦祥 114/03 新任」完全吻合。

六、逐場重點照錄（含投影片頁次）

① 2017-04-13 年度法說會｜中文版 18 頁｜FY2012–2016＋17Q1/Q2

• p.4 沿革：1985 Silicon Epi → 1992 IC/Discrete Foundry → 2004 SOI → 2008 6" GaN-on-Si、Si-on-Sapphire → 2012 4" SiC → 2016 6" SiC Epi、8" Multi-layer BL & Epitaxy。
• p.5（圖）★市佔揭露：SAM（EPI business ≤8"）Pure EPI 34.0%／EPI W/sub. 66.0%；Pure EPI foundry 內：嘉晶 36.8%／Others 63.2%，標題「最大的專業磊晶代工廠」。
• p.8（圖）★產能絕對數（見第四節）；另揭露日本子公司 PSJ。
• p.9（圖）FY2016 產品別／區域別：Power Discrete 76.40%／PMIC 21.30%／Compound 2.30%｜TW 66.65%／JP 18.37%／CN 9.96%／ROW 5.02%。
• p.10 SAM：電力電子市場 2022 年 US$417.3 億（MarketsandMarkets 2017/02）；p.11 CAGR：GaN-on-Si 2014–2020 CAGR 95%／SiC 22%（Yole，排除 RF）。
• p.16 財測：「第一季…營收約為 8 億元，較去年同期成長約 20%」「預估第二季整體市場需求與第一季相當」。
• p.14–15 五年損益（2012–2016）：2016 營收 2,790,990 仟元（因 105 年吸收合併漢磊半導體晶圓而暴增）；2012–2015 連續四年營業損益為負或近零。

② 2018-03-21 107 年法說會（CT Sune）｜11 頁｜FY2015–2017＋18Q1

• p.4 損益：2017 營收 3,342,938 仟元／毛利率 14%／營益率 7%／ROE 6%／負債比 27%／EPS 0.74（2016：1%／1%／1%／23%／0.08）。
• p.5 ★2017 月產能（見第四節）；廠區含 BL 廠（8" Multi-Layer BL）。
• p.6 應用範疇新增 Military（UAV／Radar／Satellite）。
• p.7 SAM（IHS 2016/11）：Power Semiconductor 2015 US$340 億 → 2020 US$400 億；discrete 33%／module 11%／IC 56%；Super Junction CAGR 12%。
• p.8（圖）四產品線占比（見第三節），旁註「CAGR ~20%」。
• p.9 ★★11 場中顆粒度最高的財測：「營收估計較去年同期成長 15%~18%；毛利率估計約為 14%~16%；營業淨利率估計約為 7.5%~9.5%」。
• p.10 策略：節能／電動車／AI／大數據／機器人／5G；導入自行開發的智慧製造 4.0。

③ 2018-08-22 法說會｜9 頁｜FY2016–2017＋18H1

• p.4 損益：2018H1 營收 2,044,923 仟元／毛利 339,338（16%）／營益 217,139（10%）／稅前 231,490（11%）／本期 182,929（9%）／EPS 0.67（該場無 ROE、無負債比列）。
• p.5 ★2018Q2 月產能（見第四節）；廠區改稱 Epi Mill 1/2/3＋BL1。
• p.8 產品組合圖與 2018-03-21 場完全相同（未更新至 2018H1 實績）。
• 該場為唯一無前瞻／財測頁的一場。

④ 2019-10-29 108 年法說會（CT Sune）｜10 頁｜FY2016–2018＋19H1

• p.4 損益：2018 營收 4,524,026 仟元（歷史高）／毛利率 17%／營益率 11%／ROE 11%／EPS 1.57／負債比 33%｜2019H1 營收 2,020,990／毛利率 8%／營益率 2%／ROE 2%／EPS 0.11／負債比 36%。
• p.6（圖）五產品線占比（見第三節）。
• p.7 ★★該場資訊密度最高：
• 化合物：GaN/Si 開發新一代功率應用磊晶結構；GaN/SiC 成功開發射頻(RF)應用；6" SiC 磊晶製程品質媲美國際大廠。
• 超級接面(SJ)：產能擴充到每月約 6,000 片；營收成長率較前一年增加約一倍；增加 3 家以上的客戶合作。
• Power IC：因 5G 基地台 PMIC 需求增加，下半年完成磊晶 RP 產線擴充。
• ★★矽光子首度揭露：「研究開發矽光子的磊晶，主要應用在 5G 基地台及資料處理中心等的光纖產品」。
• p.9 展望：上半年業績相對去年下半年下降約 20%；下半年客戶庫存調整持續、預估明年第一季逐漸回溫。

⑤ 2020-08-19 109 年法說會（CT Sune）｜9 頁｜FY2017–2019＋20H1

• ⚠️ 一手瑕疵：封面日期誤印為「2019-08-19」，但標題「109 年法說會」、資產負債表基準日 109/6/30，實為 2020-08-19。
• p.4 損益：2019 營收 3,854,729 仟元／毛利率 6%／營益率 0%／ROE 0%／EPS 0.04／負債比 37%｜2020H1 營收 2,050,418／毛利率 8%／營益率 2%／EPS 0.16／負債比 34%。
• p.5 每股淨值 109/6/30 ＝ 14.28 元（108/6/30 ＝ 13.89 元）。
• p.6 ★罕見的產業對標：上半年營收 YoY +1.5%（對標 WW silicon wafer shipment 約 +0.6%）；vs 去年下半年 +12%（對標 WW shipment 約 +6%）。技術：GaN/Si 完成 650V 磊晶平台、開發完成 1700V & 3300V SiC 磊晶平台。★矽光子：研究開發矽光子的磊晶平台，目前客戶驗證中（較 2019 場進展一階）。
• p.7（圖）四年五產品線占比（見第三節，含 Y2019 預估 vs 實績可對照）。
• p.8 財測：「受 Covid-19 影響，特別在車用市場，第三季預計 QoQ 9~13% 下修，Q4 會逐漸回溫，預估全年營業額較前一年將仍會微幅成長」；「GaN (RF) 及矽光子上開發在 5G 基地台的應用應會是未來成長的動能」。

⑥ 2021-11-15 110 年法說會（CT Sune）｜14 頁｜FY2019–2020＋21Q1–Q3

• p.4 損益：2021 前三季 營收 3,697,628 仟元／毛利 511,911（14%）／營益 322,288（9%）／本期 266,454（7%）／ROE 8%／負債比 33%／EPS 0.95。
• p.5 每股淨值 2021/9/30 ＝ 15.54 元（2020/12/31 ＝ 14.47 元）。
• p.7（圖）季營收＋GM%（Silicon／Compound／MLBL 三系列，20Q3–21Q3）：總額（軸）20Q3 約 $950M → 21Q3 約 $1,345M；GM% 由約 2.7% 一路升至約 16.5%。
• p.9（圖）★矽磊晶應用別 21Q1~Q3：MOSFET 35%／SBD 21%／FRD 18%／PMIC 17%／IGBT 4%／Others 5%。
• p.10（圖）★★晶圓尺寸別 21Q1~Q3：8" 38%／6" 32%／5" 20%／4" 10%（8 吋轉型的起算基準）。
• p.11（圖）★區域別：TW 59%／JP 20%／CN 13%／ROW 8%。
• p.13 ★★展望與資本支出（見第四節）。
• 該場為唯一同時給出應用別／尺寸別／區域別三張帶標籤圓餅的場次。

⑦ 2022-09-22 111 年法說會（CT Sune）｜9 頁｜FY2020–2021＋22H1（無目錄頁，財報在 p.3）

• p.3 損益（歷史最佳半年）：2022H1 營收 3,006,262 仟元／毛利 592,227（20%）／營益 453,062（15%）／稅前 491,857（16%）／本期 393,486（13%）／負債比 36%／ROE 16%／EPS 1.38。
• p.4 每股淨值 2022/6/30 ＝ 17.27 元。
• p.5（圖）★★季營收絕對金額＋財測（見第三節）。
• p.6（圖）化合物磊晶 21Q3–22Q3(F)：22Q2 合計約 $139M（SiC 約 $103M、GaN 約 $36M），22Q3(F) 約 $146M（軸讀）。
• p.7 區域別、p.8 矽磊晶應用別（皆無資料標籤）。

⑧ 2023-09-21 112 年法說會（CT Sune）｜14 頁｜FY2021–2022＋23H1

• p.4 損益：2023H1 營收 2,175,847 仟元／毛利 233,080（11%）／營益 81,554（4%）／本期 76,607（3%）／負債比 35%／ROE 3%／EPS 0.27（vs 2022 全年 EPS 2.38、ROE 14%）。
• p.5 每股淨值 2023/6/30 ＝ 16.64 元（2022/12/31 ＝ 18.38 元，一年蒸發 1.74 元）。
• p.7（圖）季營收＋GM%：22Q1 約 $1,473M → 23Q2 約 $1,080M；GM%（軸）由約 19.5% 崩至約 10.5%；MLBL 在 23Q1/Q2 反而放大至約 $130–140M。
• p.12 2023 營運概況：上半年營收 YoY 衰退 28%，消費性矽磊晶大幅衰退、超結磊晶成長、化合物磊晶持平；下半年預估較上半年個位數下降；「今年 SiC 6 吋擴產計畫符合預期進度，產能第二季起逐步開出；8 吋 SiC 研發計畫已進行中」。
• p.13 2024 營運展望：「2024 上半年預估仍在庫存調整…下半年預測矽磊晶需求將逐漸恢復」；「化合物磊晶營收，預計將隨著產能及客戶需求增加呈現顯著成長」；★「客戶組合除原有設計公司及代工廠外，已有數家國際 IDM 大廠驗證通過且上量量產」；「8 吋 SiC 磊晶預計年底可送樣客戶進行產品驗證」。

⑨ 2024-09-11 113 年法說會（CT Sune）｜14 頁｜FY2022–2023＋24H1

• p.4 損益：2024H1 營收 2,078,019 仟元／毛利 202,100（10%）／營益 41,913（2%）／稅前 238,205（11%）／本期 190,564（9%）／負債比 30%／ROE 8%／EPS 0.66。 ⚠️ 稅前利益率 11% 遠高於營益率 2% 係業外所致——其中處分不動產廠房設備利益 158,789 仟元（2024Q2 季報 p.30），引用時務必並陳。
• p.5 每股淨值 2024/6/30 ＝ 17.13 元。
• p.7／p.8 產品別 YoY（見第三節）；p.8 另可軸讀出 SiC 24Q1 $187M 之歷史峰值與 24Q2 崩至 $74M（QoQ (60%)），簡報文字未點明。
• p.9 應用別（無標籤）＋註「矽磊晶中除 SBD 仍處相對低迷，其他應用已逐漸恢復」；p.10 區域別＋註「日本市場第二季萎縮主要是 SiC 營收下降所致」「歐美客戶受惠於 AI server 增加幅度相對大」。
• p.12 概況：SiC 今年 Q2 起受大陸內捲、客戶在 SBD 需求影響較大，正驗證 MOS 等級磊晶片，需求影響約兩季度；8 吋 GaN 小量試量產；8 吋 SiC 第三季度完成製程開發，預計第四季度開始送樣，期望明年進行產品小量量產（★「明年小量量產」句僅中文版有、英文版無）。
• p.13 展望：2024 仍在庫存調整；明年預測矽磊晶需求將逐漸恢復。
• ★ 後見兌現度：未兌現 —— 114 年度 SiC 實際僅生產銷售 2,558 片、營業毛利 (21,369) 仟元、募資效益生產量達成率 11.42%（2026/08 公開說明書 p.67）。

⑩ 2025-09-17 114 年法說會（JS Wen；嘉晶＋漢磊聯合法說）｜13 頁｜FY2023–2024＋25H1

• p.4 損益（唯一虧損的半年報場次）：2025H1 營收 1,851,660 仟元／毛利 104,738（6%）／營益 (39,286)（(2%)）／稅前 (49,771)／本期 (39,818)／EPS (0.14)。該場 p.4 無 ROE、無負債比列。
• p.5：每股淨值 2025/6/30 ＝ 16.89 元（2024/12/31 ＝ 17.53 元）；負債比 28%；資產總計 6,801,049 仟元。
• p.7／p.8 產品別 YoY（見第三節）；p.8 可軸讀出 SiC 24Q4 谷底約 $21M。
• p.11 2025 營運概況：矽磊晶中小尺寸需求下降、8 吋需求成長（PMIC），整體約持平；GaN (21%)，25Q2 起因地緣政治客戶轉保守，預計 25Q4 逐步回溫；SiC (64%)，主因大陸內捲、出貨量及售價持續下探，正積極驗證更多非大陸市場客戶；8 吋 SiC 已完成製程開發並陸續送樣，預期明年上半年進行產品量產（英文版 p.12 作 "Small-scale mass production"）。
• p.12 2025 營運展望：「2025 下半年部份客戶尚有庫存調整，加上汽車市場仍疲弱不振、美國關稅及半導體課稅等因素，造成市場需求不確定性高」；「8 吋矽磊晶代工的成長需求增加，將逐步擴充產能因應」；「化合物磊晶需求量勢必增加，但價格仍是劇烈的挑戰」。
• ★ 後見兌現度：兌現 —— 新增日系 IDM 大廠客戶已於 26Q2 正式進入量產階段（2026-04-29 法說會簡報 p.15）。
• ⚠️ 該場逐字稿誤植極嚴重（見第五節），所有數字須回簡報。

⑪ 2026-04-29 2026 Q1 法說會（JS Wen；首次改為一年兩次）｜16 頁｜2026Q1

• p.4 損益：26Q1 營收 1,058,983 仟元（YoY +18%）／毛利 188,227（18%）／營益 112,229（11%）／稅前 125,822（12%）／本期 100,656（10%）／負債比 31%／ROE 8%／EPS 0.35（25Q1：6%／(2%)／0%／0.01；2025 全年：8%／1%／0%／0.07）。
• p.5 每股淨值 2026/3/31 ＝ 16.97 元（2025/12/31 ＝ 17.12 元，配息所致）；資產總計 7,114,003 仟元。
• p.7 營收：整體 QoQ (1%)／YoY +18%；矽磊晶 QoQ (1%)、26Q2 Fcst >+20%；化合物磊晶 QoQ +8%、26Q2 Fcst +19%。金額（軸）26Q1 Silicon 約 $950M、Compound 約 $109M。
• p.8 Si 磊晶 4"/5"/6" vs 8"（無資料標籤，含兩條反向趨勢線；軸讀見第二節）。
• p.9（圖）★★晶圓尺寸別（見第二節）。
• p.10 矽磊晶應用別 MOSFET／FRD／SBD／PMIC／IGBT／Others（確無資料標籤，僅 $0–$1,200 軸刻度）；p.11 區域別（無標籤，軸讀 26Q1 TW 約 640／JP 約 190／CN 約 15／ROW 約 215）。
• p.12（圖）化合物磊晶：GaN QoQ +73%（36→62）、SiC QoQ (27%)（65→47）（軸讀）。
• p.13 26Q1 營運概況：營收 QoQ (0.5%)、YoY +18%；毛利 QoQ >40%、YoY 倍數成長（毛利金額 188,227 ÷ 56,634 ＝ 3.3 倍，自算，基數取自 2026Q1 季報 p.8 與 2025Q1 季報 p.8）；矽磊晶「產品組合優化、產能利用率回升與節流，第一季毛利季增幅超過 20%」「AI Power 與 PMIC 對 8 吋磊晶強勁需求」；化合物「6 吋 GaN 需求回溫帶動產能利用率，獲利由虧轉盈」「8 吋 SiC 已完成製程開發並陸續送樣，已有日系客戶驗證通過，待終端訂單動能發酵」；★新產品矽光子「成功協助客戶量產 Ge/Si（鍺/矽）PD 磊晶；第一季完成產品驗證且進入小量生產，正式進入 AI 高速光通訊供應鏈」。
• p.15 26Q2 展望：整體 QoQ >+20%；矽磊晶「8 吋需求高於預期，加速 8 吋設備裝機與產能擴充，以滿足 2026–2028 年客戶需求」；GaN「已成功切入 AI Server／Space 供應鏈」；SiC「新增日系 IDM 大廠客戶已於 Q2 正式進入量產階段」；矽光子「已通過國際一線客戶驗證，正式進入重要 AI Server 終端客戶供應鏈…全速推動產能擴建」。
• ★ 後見兌現度：雙雙達標 —— 26Q2 實際營收 QoQ +23.57%、毛利率 23.45%（自算，基數取自 2026Q2 季報 p.8）。

七、矽光子（Ge/Si）七年時序（★報告易誤判為 2026 年新事物）

★ 技術累積年限應為 2019 年起算（七年），非 2026 年新事物；惟中間 2021–2025 五場完全未提，代表期間並無可揭露之商業進展。

八、法說會層級的資料缺口（據實標明）

1. 矽光子的營收金額、出貨數量、ASP：11 場全無；公司明示不揭露（董事長 2026-04-29 法說會 [00:31:30] 及同場 Q&A「ASP 部分，我不便透露」）。真缺口。
2. 具名客戶：11 場皆未具名（僅有「日系 IDM 大廠」「國際一線客戶」「美國公司、成立超過 15 年」等描述）。真缺口；惟 2019-10-29 法說會簡報 p.7「增加 3 家以上的客戶合作」、2023-09-21 法說會簡報 p.13「已有數家國際 IDM 大廠驗證通過且上量量產」屬客戶家數與類型的量化揭露。
3. 26Q3 與 2026 全年財測：2026-04-29 場確實只給到 26Q2；董事長 [00:27:59] 明說「關於下半年營收比例，無法提供精確數字，但預期下半年優於上半年」。該場成立——但如第一節所述，公司 2017–2022 多次提供含毛利率與營益率的區間財測，正確論述為「財測顆粒度自 2023 年起系統性降級」。
4. 產能利用率百分比：11 場簡報皆無；僅 2026-04-29 逐字稿有（8 吋接近 90%、4/5 吋低於 60%，董事長 [00:31:30]）。簡報層級為真缺口。
5. 2022-09-22／2023-09-21／2024-09-11 三場無逐字稿：本地僅有中英文簡報 PDF，狀態為「本地無檔、未取得」，非「AlphaMemo 無收錄」。

本頁所有數字均可回查 _事實底稿_2026-08-12.md 與 _文件/法說會/ 內 22 份原始簡報 PDF 及 2 份逐字稿；頁次為中文版投影片頁次，標記（圖）者係 300dpi 轉圖判讀、標記（軸）者為縱軸讀取之近似值。資料截至 2026-08-12，最新法說會為 2026-04-29。