6435 大中 最新年報整理　最新年報重點整理（2025／民114 年度，功率半導體 Fabless 設計公司，核心應用由 PC 轉向 AI 伺服器）

本頁為大中積體電路（Sinopower，TPEX 上櫃 6435）最新年報（2025／民114 年度）的結構化重點整理——商業模式、產品結構、應用別演進、損益、研發、競爭地位、客戶供應商與風險。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md A/B/C/D/E/F/G 區、附西元年年報頁碼（L2）。⚠️ 2022–2023 完整全年三軸本次未在一手逐筆抄錄（2021 年報 PDF 為 CID 字型亂碼，標〈完整分析〉缺口①）；近 12 季三軸見「最新季報整理」；應用別占比細分為法說會揭露、見下文 ★★ 段與「最新法說會整理」。

一、商業模式與業務範圍（2025 年報 p.72-75，L2）

• 一句話：以功率半導體 IC Design House（Fabless） 模式運作——自行研究、設計、委外生產管控與銷售低／中／高壓功率元件，晶圓製造與封裝測試全部委外，本身無自有晶圓廠／封測廠（2025 年報 p.72-75、p.86、p.89「本公司並無生產線、無工廠」，L2）。
• 產業鏈位置：歸類半導體業（TPEX 產業別 24），卡在功率半導體設計中游，向上委由晶圓代工與封測廠製造，向下透過代理商／通路商銷售給系統廠、品牌廠、通訊廠（2025 年報 p.72-73，L2）。
• 主營產品：MOSFET、IGBT、高壓 IC（功率半導體元件及模組、高壓積體電路及模組）（2025 年報 p.72 業務內容，L2）。
• 規模：員工 92 人（114 年度；113 年度 98 人），其中研發人員 30 人（占約 33%）、學歷碩士以上約 37%（2025 年報 p.88，L2）。
• 股本與母公司：股本 374,613 仟元（115/3/31，2026Q1 季報 p.6，L2）；母公司為茂達電子，持大中 42.61%（法人董事，2025 年報 p.5/p.7，L2）；董事長與總經理同一人為薛添福（茂達系法人董事代表人，2025 年報 p.5/p.6 註，L2）。

二、產品結構（2025 年報 p.72「主要產品營業比例」，L2）

⚠️ 年報僅列單一品項：2025 年報營業比重表將 MOSFET／IGBT／高壓 IC 併為「功率半導體產品 100%」單一品項，未細分各別營收 %（大中年報揭露慣例，2025 年報 p.72，L2，標〈完整分析〉缺口②）。產品結構細分只能由「依耐壓」與「依應用」兩種法說會口徑觀察（見下文 ★／★★ 段）。

三、★產品別：MOSFET 依耐壓分（2026Q1，法說會揭露，L1）

來源：2026Q1 法說會逐字稿 2026-04-27 [CEO 00:05:18] Q&A（L1）。產品線耐壓定義：低壓 ≤40V、中壓 >40~250V、高壓 >250V，高壓延伸至 600~800V（2025 年報 p.72 商品項目、p.2/p.77，L2）。以低壓 MOSFET 為營收主體（約四分之三），中壓次之，高壓仍小。

四、★★應用別占比演進（核心轉型：PC → AI 伺服器，法說會逐字稿）

來源：2026Q1 法說會 2026-04-27 [CEO 00:02:26、00:03:24]；2025Q3 法說會 2025-11-17 補季內細節（L1）。 - 核心轉型故事：PC 占比 3 年腰斬（63.63%（2023）→41.28%（2026Q1）），伺服器相關占比 4.5 倍躍升（8.14%（2023）→36.37%（2026Q1）），電池管理由 1.43%（2023）升至 5.74%（2026Q1）。 - 應用機制（2026-04-27 [CEO 00:05:18]，L1）：PC 應用於 CPU 核心電源、快充 PD、adapter、load switch；伺服器相關 MOSFET 用於散熱風扇／馬達驅動、BBU 儲能備援、hot swap、液冷水泵；電池管理用於充放電與 inrush 保護。 - 轉型即獲利槓桿：伺服器／AI 應用單價與毛利高於 PC，是 2024–2025 毛利率／營益率近 2 年翻倍的主因（與 C 區應用別、季報毛利率走勢互核）。 - ⚠️ 口徑時序差異：2025Q3 法說（2025-11-17）報「2025Q3 單季 PC 53.63%、馬達風扇 25.28%」，2026Q1 法說（2026-04-27）報「2025 全年 PC 51.62%、伺服器 27.87%」——係「單季 vs 全年」口徑，非矛盾（法說會逐字稿，L1）。

五、銷售地區別（2025 年報 p.81，2.1.1，L2）

外銷為主（76.71%）、集中亞洲（75.36%）；內銷占比 2 年由 15.16%（2024）升至 23.29%（2025）。外銷以美金計價、營業費用以台幣支出，形成部分自然避險（2025 年報 p.97、2025Q3 法說會，L1/L2）。

六、損益概況與獲利能力（2025Q4 季報綜合損益表 p.10 雙年對照，L2）

單位：新台幣仟元

• 2025 EPS 9.52 元（基本）／9.30 元（稀釋），2024 為 6.09／5.98（2025Q4 季報 p.10、2025 年報 p.1，L2）。
• 衍生比率（依上表數字推算）：2025 毛利率 22.45%、營益率 10.98%、淨利率 10.42%、實效稅率 15.5%；對比 2024 毛利率 20.92%、營益率 8.49%、淨利率 8.32%——三率全面回升，營業費用僅增 15.50%、營收增 25.24%＝營運槓桿發酵（2025Q4 季報 p.10、2025 年報 p.1/p.95，L2）。
• ★口徑分開（務必）：2025 年報 p.1 致股東稱「稅後淨利及稅後 EPS 增加 56%」——其中稅後淨利 YoY +56.9%（354,432／225,914-1），EPS YoY +56.3%（9.52／6.09-1），兩者口徑與基期股數略有差異、分別表述、不混用（2025Q4 季報 p.10、2025 年報 p.1，L2）。
• 業外 2025 +45,883 仟（YoY -11.49%），主係利息收入 +6,958、其他利益及損失 +26,106（含兌換淨益）－財務成本 107，屬業外波動、不影響本業判讀（2025Q4 季報 p.10，L2）。
• ⚠️ 茂達股票評價走 OCI、不進損益：大中持母公司茂達 1,265,088 股、帳面 266,301 仟、持股 1.67%（FVOCI），2025 全年 OCI +55,952、2024 OCI (43,536)——跨集團交叉持股評價走其他綜合損益、不影響淨利（2025Q4 季報 p.10、附註，L2）。

七、研發投入（2025 年報 p.77/p.88/p.98，L2）

• 公司預計 115（2026）研發投入「約占 114 全年營收 5.3%」（2025 年報 p.98 6.3，L2）；2026Q1 單季研發 47,969 仟、占營收 5.06%（2026Q1 季報，L2）。
• 研發人員 30 人（114 年度，占員工 92 人約 33%；學歷碩士以上約 37%，2025 年報 p.88，L2）。
• 技術主軸：溝槽式金氧半功率場效電晶體（Trench／SGT Power MOSFET）、IGBT、整合驅動 IC（MOSFET＋驅動 IC 整合於 5×5mm² QFN，安裝面積較三顆獨立封裝縮小一半以上）、高壓超接面（Super Junction）（2025 年報 p.73、p.77-78，L2）。
• 製程升級：8 吋已由 0.18um 升級至 0.13um 先進設備；高壓延伸至 800V 以上；車規 175℃ 高溫試驗平台（AEC-Q101）（2025 年報 p.77，L2）。
• ⚠️ 整合驅動 IC 待兌現催化劑：第一顆整合驅動 IC 新產品「因驅動 IC 部分需要改版調整，產品整體驗證尚未完成」，期在 2026 完成驗證、客戶導入及量產出貨（2025 年報 p.2、p.73，L2）——為待兌現的成長催化劑、有延遲風險（已改版）。
• 第三類半導體（SiC、GaN）：「已投入部份資源關注技術，待適當切入時機」——尚未量產、屬觀望（2025 年報 p.2、p.73、p.81，L2）。

八、競爭地位與市占（2025 年報 p.76/p.82-83，L2/L5）

• 2025 全球 MOSFET 市占約 0.69%（大中營收 NT 34.0 億／2025 全球 MOSFET 市場約 156.9 億美元≈NT 4,930 億，2025 年報 p.82 2.1.2，L2/L5）——相對國際大廠為極小型利基廠。
• 競爭者（國際大廠）：Infineon（併 IR）、On Semi（併 Fairchild）、Vishay、AOS、TI、Renesas（2025 年報 p.76、p.82，L2）。
• 切入策略：靠產品線分布廣、跨應用類別多、強調「一次購足（One-Stop shopping）低／中／高壓功率元件 Total solution」與快速服務，「分蝕國際大廠既有市占率」（2025 年報 p.76、p.82-83 競爭利基，L2，含自評主觀）。
• 自有晶圓採購已由海外廠商分散至國內廠商、與封測簽長約，分散供應風險（2025 年報 p.99 6.9，L2）。

九、客戶與供應商集中度（2025 年報 p.87，L2）

主要客戶（占銷貨淨額 10% 以上，2.4.2）

前三大客戶合計：2024=48.89%、2025=45.99%（集中度 2025 略降）；最大單一客戶 2025 占 18.68%（辛公司，由 25.24% 年減至 18.68%），皆非關係人（2025 年報 p.87，L2）。

主要供應商（占進貨淨額 10% 以上，2.4.1）

單一供應商 F 公司占進貨 65.83%（晶圓代工）——Fabless 對晶圓代工高度依賴（2025 年報 p.87，L2）。重要契約：晶圓製造合約 2021/12–2028/12；封裝及測試 3 份合約（含 2026/01–2033/01 新簽 7 年長約）（2025 年報 p.93，L2）。 ⚠️ 客戶／供應商全以代號隱名（辛／乙／己／F／Q／A／P 公司），年報未具名揭露，透明度低為本檔資料缺口（2025 年報 p.87，L2，標〈完整分析〉缺口③）。

十、風險事項（2025 年報 p.83/p.97-99，L2）

• 供應商集中：F 公司占進貨 65.83%、Fabless 無自有產能；已分散晶圓採購來源（海外→國內）、與封測簽長約因應（2025 年報 p.87/p.99 6.9，L2）。
• 產業循環／景氣：功率半導體景氣循環明顯（2021 高峰→2023 庫存調節谷底→2025 回升）、產品生命週期短（2025 年報 p.83、致股東 p.1，L1/L2）。
• 競爭加劇：陸續投入者眾、國際大廠擠壓；以利基／高附加價值產品因應（2025 年報 p.83，L2）。
• 匯率：以美金收入為主（外銷 76.71%）、營業費用台幣支出形成自然避險（2025 年報 p.97、2025Q3 法說，L1/L2）。
• 記憶體缺料（2025 下半年起）：記憶體漲價影響終端客戶、PC 需求轉保守（致股東 p.4 給「持平或低個位數成長率」for PC，2025 年報致股東 p.4、2026Q1 法說 Q&A，L1/L2）。
• 整合驅動 IC 延遲：第一顆整合驅動 IC 驗證未完成、延至 2026 量產（2025 年報 p.2、p.73，L2）。
• 公司治理：董事長與總經理同一人（薛添福），已設審計委員會、過半數董事未兼任經理人因應（2025 年報 p.6 註，L2）。
• 無高風險／高槓桿投資、無資金貸放、無背書保證、無衍生性商品交易、無訴訟、無重大勞資爭議、無擴廠、無併購（2025 年報 p.90/p.92/p.97/p.99，L2）。

十一、產業趨勢（2025 年報引述第三方機構，L5）

鐵律：只用 SAM、不用 TAM 充數。

• 全球 MOSFET 市場：2025 約 156.9 億美元（2025 年報 p.82 市占計算基礎口徑，L5）；另致股東口徑 2025 超過 88.5 億美元（引 Research Nester，2025 年報 p.3，L5）——年報內 MOSFET 市場規模有兩個口徑，疑為「Si MOSFET」vs「含寬能隙全 MOSFET」或不同研究機構基準差異，市占 0.69% 採 156.9 億美元基礎計算。
• MOSFET CAGR 2025→2035 約 6.7%（年複合，至 2035 達 169.3 億美元，引 Research Nester，2025 年報 p.3，L5）——屬「穩定成長」非高成長（年報自承「功率元件市場呈現穩定成長態勢，未如邏輯 IC 與記憶體等超過 30% 成長率」p.3，L5）。
• 全球半導體產值：2025 約 7,720 億美元、YoY +22%；2026 預估突破 9,750 億美元、YoY >25%（WSTS，2025 年報 p.3，L5）。
• 分離式器件市場：2025 約 309 億美元；2026 預估成長 8.2% 至 334 億美元（2025 年報 p.3，L5）。

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