EQUITY MEMO · INVESTMENT IDEA

力士科技 · 利基功率 MOSFET Fabless · 循環落底回升 4923.TW

功率半導體/MOSFET IC 設計 fabless · 0.18/0.13μm 溝槽式 · 自有專利製程 ETG/RTG/SGT · 循環期(連 2 年虧損)
(5.26)
2025 EPS(元)· 連 2 年虧損
2026Q1 EPS 0.10(靠業外)|本業仍虧 -5.07%

力士科技是中低壓溝槽式功率 MOSFET 的 fabless 設計小廠,靠自有專利製程(ETG/RTG/SGT、晶胞密度 900M/in²、良率 >95%)切入國際 IDM 大廠退出後的中低壓缺口。核心張力=循環落底回升+利基製程+華碩賠償潛在挹注 vs 連 2 年虧損、本業營益率長期為負、負債大增/靠 CB 補血、華碩賠償未實現。成敗手只有一個:本業營益率能否隨營收放量由負轉正

三個勝負手(深掘)

勝負手一|本業營益率轉正 — 這是全案核心

勝負手二|2026Q1 帳面獲利的「品質」 — 別把一次性當轉機

勝負手三|利基製程+AI PC/電源需求+華碩賠償 vs 槓桿/CB 依賴

損益軌跡(FY2024 → 2026Q1)

項目 2024 2025 2026Q1
營收(億) 8.15 8.99 2.50
毛利率 23.8% 22.6% 27.67%
營益率 (14.8%) (20.1%) (5.07%)
業外(千元) +45,617 +9,413 +16,086
EPS(元) (2.33) (5.26) 0.10

連 2 年虧損;2026Q1 毛利率回升、本業虧損收斂但未轉正,帳面轉正靠一次性業外。

季別 營收(億) 毛利率 營益率 EPS
2025Q1 1.92 20.8% (40.6%) (1.85)
2025Q2 2.16 23.5% (19.3%) (2.08)
2025Q3 2.49 20.3% (13.7%) (0.82)
2025Q4 2.41 25.6% (11.3%) (0.51)
2026Q1 2.50 27.67% (5.07%) 0.10

營收連 4 季回升、營益率谷底 -40.6% 收斂至 -5.07%;質變點=本業何時轉正。

催化劑 vs 主要風險

催化劑(CATALYSTS) - 本業營益率隨營收放量續收斂、有望轉正(待驗證) - AI PC/AI 手機提升單機 MOSFET 用量(結構性) - MOSFET 成品占比升至 62.91%、新產品占比近四成(進行中) - 0% 利率 CB 償高息短借、降利息負擔(已進行) - 華碩賠償 USD 1,050 萬潛在挹注(未實現)

主要風險(KEY RISKS) - 本業連 2 年虧損、營益率長期為負(核心永久性傷害風險) - 2026Q1 帳面獲利靠一次性賠償+匯兌、不具持續性 - 負債比 13.72%→51.5%、靠短借+CB 補血、營業現金流長期為負 - 客戶高度集中(前三大 58.47%)、中國同業殺價 - 華碩賠償未實現、再融資門檻 34.66 元(CB 3 年到期須現金償還 2.5 億) - 多起訴訟結果未定、循環景氣敏感

關鍵觀察點(KEY WATCH)


生命週期:循環期(落底回升)。本頁求「準+深」、聚焦勝負手,非全面鋪陳;不放股價/PE/目標價——本業未轉正、EPS 基期極低且波動大,不以低基期灌高成長。深掘自完整版〈最新分析〉· 非投資建議。