EQUITY MEMO · INVESTMENT IDEA
晶豪科 · 利基型記憶體 IC 設計 fabless · 記憶體缺貨大循環爆發 3006.TW
半導體／IC 設計 · DRAM／SRAM／NOR・NAND Flash · 無自有晶圓廠 · 循環期（強週期）
7.22
2026Q1 單季 EPS（元）· 截至 2026-06-13
2025 全年 EPS 0.87｜2026Q1 毛利率 47.5%
利基型（Niche）記憶體 IC 設計 fabless（DRAM/SDRAM/DDR、SRAM、NOR/NAND Flash），無自有晶圓廠，IC 銷售占營業比率 100%、記憶體約 90%。量化定位 循環期（強週期）——5 年毛利率 36.55/18.38/2.73/12.11/17.05%。本波勝負手＝AI 排擠效應下三大廠退出傳統 DRAM 的結構性缺口疊加景氣循環向上，2026Q1 營收 72.67 億 YoY +150.3%、毛利率 47.5%、營益率 31.0%、EPS 7.22。⚠️ 此為循環高點＋庫存重評價紅利，非常態、勿外推；2025Q2 才單季虧 2.59 億、2023 由盈轉虧 EPS -4.36。
72.67 億
2026Q1 營收
YoY +150.3%
7.22
2026Q1 EPS（元）
vs 2025 全年 0.87
勝負手 CRUX 決定論述成敗的關鍵變數
記憶體缺貨大循環爆發
AI SQUEEZE · NICHE DRAM
結構性缺口 × 循環向上
- AI 帶動 HBM、三大廠退出傳統 DRAM
- DDR4 vs 2024Q4 低點漲 6~7 倍
- 華邦 DDR3 以下年底退出、加劇缺口
利基設計＋fabless 彈性
FABLESS · NICHE KNOW-HOW
拿得到產能＝競爭力
- 避開標準型紅海、成熟製程客製化
- 與力積電簽產能預約協議書鎖代工
- 研發費 15.42 億、占營收 10.58%
⚠️ 循環高點不可外推
PEAK · DO NOT EXTRAPOLATE
本質強週期股
- 2025Q2 才單季虧 2.59 億
- 2023 由盈轉虧 EPS -4.36
- 報價反轉／缺料補回即回落、客戶集中
損益軌跡 FY2021 → 2026Q1（循環大起大落）
| 年度 | 營收(億) | 毛利率 | EPS |
|---|
| 2021 | 238.45 | 36.55% | 17.76 |
| 2022 | 162.08 | 18.38% | 3.71 |
| 2023 | 118.84 | 2.73% | (4.36) |
| 2024 | 134.85 | 12.11% | 1.80 |
| 2025 | 145.75 | 17.05% | 0.87 |
5 年波峰波谷差約 2 倍、毛利率 2.73~36.55%、ROE -11.32~48.49%——典型強週期。
| 季別 | 營收(億) | 毛利率 | EPS |
|---|
| 2025Q2 | 32.88 | 3.9% | (2.59) |
| 2025Q3 | 35.77 | 12.9% | 0.05 |
| 2025Q4 | 48.07 | 32.3% | 3.68 |
| 2026Q1 | 72.67 | 47.5% | 7.22 |
2025Q2 觸底→Q3 翻正→Q4/2026Q1 爆發，營運槓桿極高、屬循環向上彈性。
KEY WATCH 關鍵觀察點
利基型 DRAM 缺貨景氣持續度（三大廠是否回補傳統 DRAM 產能）
2026Q2 毛利率與庫存去化兌現度（分析師推估賣庫存增 20~30 億純利，待確認）
aiPIM／BaseDie 由樣品走向量產時程（決定能否轉成長期）
台幣匯率走勢（2025Q2 曾因台幣升 11.4% 單季虧）
催化劑 CATALYSTS
- AI 排擠效應、傳統 DRAM 結構性缺口（結構性、優於純景氣循環）
- 缺貨延續至 2026、「至少今年無法緩解」（管理層）
- Q1/Q2 持續反映漲價、晶圓漲價延遲約 15 個月（進行中）
- 2026Q1 EPS 7.22 已大幅兌現（已兌現）
- aiPIM 2026 年中出樣品（醞釀中 · 未量產）
主要風險 KEY RISKS
- 本質強週期：2023 由盈轉虧、2025Q2 再單季虧
- 報價反轉／缺料補回即回落，47.5% 毛利率不可外推
- 匯率：2025 全年匯損 1.15 億、2025Q2 單季匯損約 3.6 億
- 最大代工占進貨約 44%、單點依賴
- 客戶集中（甲 18.07%／乙 10.62%，皆代理商）
- 低 PE 假象：高峰單季 EPS 年化推估的低 PE 是估值陷阱
- 2026/06 發行 20 億 CB（0% 票面）將稀釋股本