2481 強茂 最新年報整理　最新年報重點整理（2025／民114 年度，全球功率分離式離散半導體 IDM 廠）

本頁為強茂（PANJIT，TWSE 上市 2481）最新年報（2025／民114 年度）的結構化重點整理——商業模式、營業比重、銷售地區、競爭地位、研發與風險。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md C/D/E/F/G/I 區、附西元年年報頁碼（L2）。⚠️ 產品別單一元件占比與應用領域占比年報未揭露（僅定性），相關量化占比見「最新法說會整理」（L1）。

一、商業模式與業務範圍（2025 年報 p.3／p.99，L2）

• 一句話：以功率分離式離散半導體（整流二極體、Schottky、MOSFET、TVS 等）為核心的完整 IDM 廠，從晶圓擴散、封裝到終測皆以自有產能完成，將分離器件賣給全球車用、工業、綠能、運算、消費性等多元應用客戶（2025 年報 p.3、2026-05-15 法說 L1）。
• 產業鏈位置：屬「半導體業／離散元件（Discrete）」次產業，垂直整合涵蓋前端晶圓擴散到後端封測，進貨集中於集團內子公司（垂直整合分工，2025 年報 p.118，L2）。
• 核心本業：整流二極體起家、現以功率分離式元件為主體，2025 年出貨規模超過 260 億顆（2025 年報 p.3，L2）。
• 競爭利基（2025 年報 p.99，L2）：①零缺陷品質（ISO9001／IATF16949／IECQ QC080000 等認證、商品不良率 <5PPM 世界級）；②跨足晶圓擴散製程（非單純封裝加工廠，原料成本掌握主動）；③完整產品線（客戶一次購足）。
• 生產基地（2025 年報 p.3、2026-05-15 法說 L1）：前端 3 座晶圓廠（台灣永安 FAB1／FAB3 產 6 吋／8 吋、山東 FAB2）＋後端 5 座封測廠（高雄總部、無錫、徐州、菲律賓、越南）。
• 全球離散半導體市占：2025 年達 1.22%，居國內同業之首（2025 年報 p.97，L2，詳見第五節）。

二、營業比重（★口徑前後不同，2025 年報 p.89／產品別年報摘錄，L2）

2025 年報（民114）— 口徑：營運部門別

功率分離式元件為絕對主體（90.42%），功率積體電路及元件次之（8.05%），太陽能最小（1.53%）（2025 年報 p.89，L2）。 ★口徑警示：2021 年報用「產品別」分類（整流二極體事業群 88.61%＋其他 11.39%），2022 年起改用「營運部門」三分類，前後口徑不同；但核心本業（分離式元件）量級一致，皆約 88–92%（2021 年報 p.82、產品別年報摘錄，L2）。 趨勢觀察：功率積體電路及元件（IC 部門，子公司虹冠電 3257）占比由 2024 的 6.51% 升至 2025 的 8.05%；太陽能持續縮小（1.70%→1.53%）（產品別年報摘錄，L2）。

應用領域占比（★年報未揭露百分比，僅定性，2025 年報 p.3，L2）

• 年報以文字描述「以滿足車用、工業、綠能、運算及消費性等多元應用需求」，雙引擎戰略為「車用-Automotive」與「人工智慧-AI」並進（2025 年報 p.3，L2）。
• ⚠️ 年報未給應用領域各項百分比；最新量化占比（汽車 35%／AI 11%）唯一來源為法說會簡報（2026-05-15 法說 L1，見「最新法說會整理」）。

三、銷售地區（2025 年報 p.97，L2，按商品銷售地計）

亞洲為絕對主力但占比下降：由 2021（110 年度）的 83.82% 降至 2025（114 年度）的 73.45%，5 年降約 10 個百分點（2021 年報 p.85、2025 年報 p.97，L2）。 內銷占比翻倍以上：5.99%（109 年度）→ 6.17%（110 年度）→ 13.65%（114 年度），在地化交付比重提高（產品別年報摘錄，L2）。 ⚠️ 年報「亞洲」未進一步拆分中國／台灣以外亞洲各國；台灣計入「內銷」（產品別年報摘錄，L2）。法說會另以「客戶總部所在地」口徑揭露地區占比（L1，與年報「商品銷售地」口徑不同，不可直接比）。

四、客戶與產能據點（2025 年報 p.2-3／p.118，L2）

• 主要客戶：⚠️ 年報未具名列出主要客戶，僅定性描述攻堅對象為「全球汽車百大客戶」「世界一流車用電子廠商」「工業用儀器製造商」（2025 年報 p.2，L2）。
• 銷貨集中度：「銷貨並無過度集中之狀況，而進貨集中於集團內子公司」（垂直整合分工，2025 年報 p.118，L2）。
• 產能據點動向（2025 年報 p.2-3，L2）：大陸徐州廠完成量產產能、成為高度成熟生產廠區；2026 年持續推進越南據點之併購整合，強化東南亞供應與交付韌性（未來一年將取得 TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR 股權，2025 年報 p.114，L2）。
• 車用應用規模（法說 L1）：2025 年汽車應用總量達 58 億片、涵蓋 2000 多個料號、供應超過 20 個國家、300 多個客戶（2026-05-15 法說 L1，年報未揭露此明細）。

五、競爭地位與市占（2025 年報 p.97／p.94，L2）

全球離散半導體（Discrete）市占（2025 年報 p.97，L2，資料源 WSTS）

強茂市占 1.22%、居國內同業之首，為台灣半導體（0.66%）、德微（0.27%）等之數倍（2025 年報 p.97，L2，WSTS 數據）。 ⚠️ 全球離散半導體總銷值 2024→2025 由 10,342 億佰萬 → 9,712 億佰萬新台幣（衰退約 6%），即產業規模本身 2025 縮小、強茂逆勢提升市占（2025 年報 p.97，L2）。

競爭格局（2025 年報 p.94／p.92，L2）

• 國內同業：台灣半導體、富鼎、大中、尼克森、晶焱、力智等（2025 年報 p.94，L2）。
• 國外大廠：Infineon、STMicroelectronics、ROHM、VISHAY、Diodes、Onsemi、Nexperia；大陸為士蘭微、揚杰、新潔能、捷捷微等（2025 年報 p.94，L2）。
• 產業整併史：2015 Infineon 併 International Rectifier、2016 NXP 分離式事業售予中資成立 Nexperia、2018 Microchip 併 Microsemi、2020 Diodes 併 Lite-On（2025 年報 p.92，L2）；競爭門檻已由「成本競爭」升至「技術／品質體系／供應能力」全方位競爭（2025 年報 p.94，L2）。

六、研發投入與新品進度（2025 年報 p.95／p.89-91，L2）

研發新品進度（2025 年報 p.89-91／p.95-96，L2）： - MOSFET：HV SJ MOSFET 600V／650V Gen1.5 已發佈、Gen.2 通過驗證；MV SGT MOSFET 40V–100V Gen.2 開發中，車規 AU 全系列規劃 2026 通過車規品驗證（2025 年報 p.89-90，L2）。 - FREDs／IGBT：FRED 650V／1200V 多款已驗；IGBT（FST）650V／1200V Gen.1 已發佈 4 款（2025 年報 p.90-91，L2）。 - 第三代半導體：SiC SBD Gen.2 已發佈 23 款；SiC MOSFET 650V／1200V Gen.1 與客戶共同設計下一代；GaN E-HEMTs 650V 處原型階段（2025 年報 p.91，L2）。 - 製程升級：導入 12 吋生產線以增供更穩定製程能力、降低晶粒成本（2025 年報 p.90，L2）。 ⚠️ SiC／GaN 第三代半導體年報僅以「已發佈款數／研發進度」描述、未揭露營收占比（法說會產品組合 SiC 僅 1%，2026-05-15 法說 L1）。

七、風險事項（2025 年報 p.115-119，L2）

• 匯率風險（最大關注）：2025 淨外幣兌換損失 26,028 仟元；其他綜合損益（稅後）由 2024 的 +3.65 億轉為 2025 的 (1.78 億)，主因美國關稅政策、新台幣升值使國外營運機構財報換算兌換差額損失增加（2025 年報 p.112-113／p.115，L2）。
• 訴訟兩案（2025 年報 p.119，L2）：①美國伊利諾州律所向德州地院訴請給付服務報酬 4,307,260.37 美元＋遲延利息（公司已適當估列、稱對財務業務無重大影響）；②子公司 EC SOLAR C1 SRL（義大利太陽能）遭法院預防性假扣押補助款上限 EUR 55,852 仟元、源於與工程承包商工程款糾紛（電廠仍正常售電、刊印日無法合理評估影響）。
• 聯貸財務約束條款（2025 年報 p.111，L2）：與土地銀行等 10 家金融機構聯貸 40 億元，須維持流動比率 ≥100%、負債比率 ≤200%、利息保障倍數 ≥2.5 倍、淨值 ≥100 億元。
• 產業規模衰退：2025 全球離散半導體總市場 YoY 約 (6%)（2025 年報 p.97，L2）。

本頁為〈2481 強茂 完整分析〉之最新年報（2025／民114 年度）重點整理。完整五大商業邏輯判讀見「最新分析」；近 12 季損益見「最新季報整理」；管理層指引與應用占比見「最新法說會整理」；GDR 發行條件見「公開說明書整理」。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md C/D/E/F/G/I 區。