2342 茂矽 最新年報整理　最新年報重點整理（2025／民114 年度，純功率半導體 6 吋利基 IDM＋代工）

本頁為茂矽（台灣茂矽電子，TWSE 上市 2342）最新年報（2025／民114 年度）的結構化重點整理——商業模式、產品結構、車用佔比、SiC 佈局、銷售地區、競爭優勢與風險。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md A/B/C/D/E/F/G/I 區、附西元年年報頁碼（L2）。⚠️ 2024、2025 年報為股東會精簡版（75／80 頁、未含「最近五年度財務分析」原表），部分軌跡改以季報＋量化錨點補（見「最新季報整理」與〈完整分析〉缺口①）；近 12 季三軸見「最新季報整理」。

一、商業模式與業務範圍（2025 年報 業務內容 p.47/p.48，L2）

• 一句話：以自有 6 吋晶圓廠（新竹科學園區）做車用與工業用功率元件晶圓代工，並自有開發、製造、銷售 IGBT／FRED／TVS 等功率元件，是純功率半導體 IDM＋代工廠（2025 年報 p.47，L2）。
• 主要業務：車用與工業用晶圓代工、Diode／MOSFET／TVS／FRED／IGBT 晶圓代工、SiC／GaN 晶圓代工，以及 IGBT／FRED／TVS 自有產品開發製造銷售（2025 年報 p.47，L2）。
• ★記憶體（DRAM）已 100% 歸零：茂矽 2003 年退出 DRAM 市場、2007 年連代理銷售也結束，現營收為 0、產品結構與年報產銷量值表完全不列項（事實底稿 C-1，L1／L2 交叉）。2021 年報沿革段載公司已「停止太陽能電池生產製造、專注功率半導體」（2021 年報 公司沿革，L2）——記憶體歸零＋功率半導體專注，是茂矽的轉型史。
• 產業鏈位置與「虛擬 IDM」：透過同集團企業協作串聯上游材料→中游製造→下游封測，年報自述為「虛擬 IDM」（Virtual IDM，2025 年報 p.48，L2）。
• 產能：6 吋廠極限月產能約 5.2 萬片、產能利用率約 90%（事實底稿 E／L 區，L1／L2）。

二、產品結構（年報以 FOUNDRY 單一科目列示、產品別占比為法說會口頭揭露）

• ★年報未拆產品別：年報「銷售量值表」以 FOUNDRY 單一科目列示、不拆 MOSFET／IGBT／二極體（2021 年報 銷售量值表 p.57，L2）。
• 產品別占比（2025-12-03 法說會口頭揭露，L1，非年報數字）：

記憶體占比為 0、不在產品結構中（2025-12-03 法說會，L1）。此產品別占比為單一 L1 來源、年報無對應表格交叉，引用時須註明口徑（事實底稿 K-2）。

三、車用佔比（年報致股東＋法說會，L2／L1）

車用比重三年內由 20% 拉升至約 47%，是茂矽近年的成長主軸（車規化）。對應車規認證：ISO 9001、IATF 16949、QC 080000，並通過車用客戶 VDA 6.3 製程稽核 A Grade（2025 年報 致股東 p.1，L2）。新產品佔營收比 2025 年度為 16.8%（2025 年報 致股東 p.1，L2）。

四、★SiC（碳化矽）佈局與轉型進度（2025 年報＋法說會，L2／L1）

• 平台：已推出平面 3 世代＋溝槽 2 世代（2025 年報 致股東 p.1-2、技術研發 p.50，L2）。
• 規格涵蓋：650V／1200V Planar 已開發成功、1200V Trench、1700V／3300V 開發中、750V／1200V JFET 驗證中（2025 年報 研發成果 p.51 列「SiC Planar 650V／1200V VDMOSFET、SiC Trench 1200V MOSFET」，L2；法說會 2026-04-23／2025-12-03，L1）。電壓區間自 650V 涵蓋至 3300V。
• ★狀態：仍在客戶驗證／送樣、尚未量產。SiC MOSFET 及 JFET 2026 下半年進小量樣品、2027 才顯著貢獻營收；碳化矽 3,000 片產能達滿載是 2026–2027 最重要任務（2026-04-23 法說會，L1）。SiC 為轉型展望、據實揭露其驗證階段，不外推為已量產。

五、銷售地區與客戶（2025／2026Q1 季報部門收入＋年報，L2）

來源：2025Q4 季報 p.42-43（L2）。台灣內銷約 71%。 ★2025 年報未揭露內外銷百分比量值表（精簡版省略產銷量值表）；上表內外銷比改以季報「地理區域部門收入」推算（事實底稿 D-3／K-3）。對照 2021 年報（p.57 銷售量值表，L2）可算內銷約 67.3%／外銷約 32.7%（依金額）——以內銷為主、外銷以美元計價（匯率敏感）。 美國曝險：直接、間接美國客人佔比約 15%（2025 年報 致股東 p.1，L2）——關稅影響因子。 客戶集中度：最大客戶丙 37.63%（為關係人）、客戶乙 17.78%，前兩大合計約 55%（2025 年報 p.55，L2）；最大供應商甲公司為最終母公司之子公司（占進貨 22.89%，2025 年報 p.55，L2）——進銷貨皆含關係人集中。

六、競爭優勢與研發（2025 年報，L2）

• ★台灣唯一具完整 IGBT 晶片製造產線（含雷射退火＋背面植入）：FS IGBT 晶片背面製程生產設備 2021 年中完成驗證後，成為台灣唯一具備完整製造 IGBT 晶片能力的生產線（2025 年報 技術研發 p.50，L2）。
• 車規認證壁壘：ISO 9001、IATF 16949、QC 080000，通過車用客戶 VDA 6.3 製程稽核 A Grade（2025 年報 致股東 p.1，L2）——車規認證是車用客戶的入場券。
• 研發投入：

預估 2026 研發費用約 2.3 億元（2025 年報 風險段 p.69「預估今年整體研發費用需支出約新台幣貳億參仟萬元」，L2）。 主要新品（2025 年報 研發成果 p.51，L2）：600V／1200V NPT IGBT、1200V FS-IGBT、1200V／175°C 車規 PhotoMOS；高壓 FRED（NTC 650／750／1200V、PTC 1200V）；1200V FS-IGBT／15-50A 已量產、75A 以上開發中（2025 年報 風險段 p.69，L2）。對標英飛凌第七代 Fieldstop IGBT、FR-UD 二極體（法說會 2025-12-03，L1）。

七、產業 SAM·CAGR（2025 年報引述第三方機構，L5）

鐵律：只用 SAM、不用 TAM 充數。

★市佔極小（全球功率半導體約萬分之 11）→ 利基型小廠定位；茂矽 2025 晶圓製造營收約 6,486 萬美元（約 20.22 億台幣，2025 年報 p.53，L2）。SiC／GaN 雖 CAGR 高（26%／44%），但茂矽 SiC 尚未量產，屬未來潛在 SAM。

八、風險（2025 年報 風險事項 p.68-71，L2）

• 匯率風險（最大）：銷貨主要以外幣（美金）計價；2025 美金匯率第二季起大幅波動（32→29→年底回升 31），致美金收入兌台幣降幅明顯、為 2025 虧損主因之一（2025 年報 致股東 p.1，L2）。
• 美國關稅：直接間接美國客人佔比約 15%，關稅加徵宣告使美國為主客戶觀望、訂單萎縮（2025 年報 致股東 p.1，L2）。
• 6 吋廠規模劣勢：6 吋晶圓產線在生產效能與經濟規模上，較 8 吋／12 吋廠面臨更嚴峻單位成本挑戰；中國 8 吋／12 吋成熟製程低價搶市（2025 年報 p.54，L2）。
• 進銷貨關係人集中：最大客戶（丙，37.63%）為關係人、最大供應商（甲）為最終母公司子公司（2025 年報 p.55，L2）。
• SiC 短期產能過剩風險：產業因廠商擴產存在短期產能過剩風險（2025 年報 p.53，L2）。
• 訴訟（江西賽維 LDK 案）：多晶矽片買賣契約糾紛，已於民國 106 年度全數提列減損損失，影響已認列（2025 年報 p.71，L2）。

九、子公司與海外（2025 年報 關係企業 p.72-73，L2）

★茂福開發(股)公司已於民國 114 年（2024）7／1 合併基準日併入母公司（簡易合併，2025 年報 p.68／2026Q1 季報 p.14，L2）→ 子公司由 3 家精簡為 2 家。海外實體僅 BVI 投資公司、無海外營運廠；轉投資政策「以保守為原則」（2025 年報 p.68，L2）。

本頁為〈2342 茂矽 完整分析〉之最新年報（2025／民114 年度）重點整理。完整五大商業邏輯判讀見「完整分析」；近 12 季損益／資產負債見「最新季報整理」；管理層 SiC 與車用指引見「最新法說會整理」；公開說明書見「公開說明書整理」。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md A/B/C/D/E/F/G/I 區。