8261 富鼎先進電子 最新年報整理　最新年報重點整理（2025／民114 年度，Power MOSFET 純功率元件 Fabless 設計公司）

本頁為富鼎先進電子（Advanced Power Electronics，APEC，TPEX 上櫃 8261）最新年報（2025／民114 年度）的結構化重點整理——商業模式、電壓別產品結構、應用別、損益、銷售地區、競爭地位與風險。所有數字回查 _事實底稿_2026-06-21.md B/C/D/E/F/G 區、附西元年年報頁碼（L2）；應用別 % 僅來自法說會口述（L1）、已標示來源差異。⚠️ 2022／2023 年報原文五年比較表本批未逐頁抽（PDF 已備於 _文件/，標〈完整分析〉缺口②）；近 12 季三軸見「最新季報整理」。

一、商業模式與業務範圍（2025 年報 p.64 §一(一)1、p.87 §六(九)、p.3，L2）

• 一句話：純 Power MOSFET 功率半導體的研究、開發、生產、測試與銷售，採 Fabless 模式（自身為 IC 設計公司、無晶圓廠，委外晶圓代工＋封測），對客戶計價 100% 美金（2025 年報 p.64／p.87，L2；計價口徑見法說會 2025-06-06，L1）。
• 產業鏈位置：功率半導體中游設計商，核心進貨為磊晶矽晶圓、晶圓代工與封測服務（2025 年報 p.87 §六(九)，L2）；產品設計關鍵在內部、核心自主技術＋垂直整合研發能力（2025 年報 p.70 §二(三)3，L2）。
• 產品線：低壓／中壓／高壓 MOSFET 三大電壓別，加 IGBT 與第三代半導體 SiC／GaN（試產／開發中）（2025 年報 p.64／p.72，L2）。
• 銷售方式：直接供貨＋通路並行（2025 年報 p.3，L2）。
• 股東後盾：主要股東為鴻海集團與國巨集團，在產品設計、製程優化與銷售通路多元合作（2025 年報 p.3，L2）；最大法人股東國創半導體持股 29.44%（2025 年報 p.54，L2）。
• 規模：員工 137 人（製造 43／研發 36／銷售 31／管理 27），2026（115）年度計畫年銷售量 14.47 億顆（2025 年報 p.75／p.3，L2）。

二、★電壓別產品結構（2025 年報 p.64 §一(一)2 營業比重表、2021 年報營業比重表，L2）

★純功率元件屬性：純 Power MOSFET（低＋中＋高壓）合計占 97.16%（2025 年報 p.64，L2）——確認「Power MOSFET 純功率元件 Fabless 設計公司」定位，營收幾乎全來自功率元件、無多角化雜訊。 ★結構往低壓集中：2021→2025 低壓由 37.31% 升至 49.07%、高壓由 21.29% 降至 16.06%（2025 年報 p.64／2021 年報營業比重表，L2）。低壓占比拉升的同時，2025 全年毛利率由 2024 的 28.58% 衝上 37.39%（2025 年報 p.83，L2）——產品組合往低壓集中是毛利率躍升的關鍵之一。高壓占比下降係國際 IDM 殺價下的策略性退讓（法說會 2025-07-29，L1）。

三、應用別比重（年報營業比重表按電壓別、未列應用別 %；以下應用別 % 為法說會口述，L1）

★散熱風扇＝最大成長動能：散熱風扇 2025Q4 單季營收 2.231 億元（2024 同期單季不到 4,000 萬），AI／一般伺服器冷卻風扇取得重大進展（法說會 2026-02-25，L1）；2025Q3 單季營收 3.1 億元、QoQ +73%、應用別占比達 36%（法說會 2025-10-30，L1）。散熱風扇以低壓 MOSFET 為主、毛利較好，呼應電壓別往低壓集中（法說會 2026-02-25，L1）。 電源供應器走弱：2025 年表現不如預期，國際 IDM 高壓元件持續大幅降價造成競爭壓力；電源 2025 全年營收 3.13 億元（2024 約 2.8 億元）（法說會 2026-02-25，L1）。電源以中高壓為主、與電壓別非一一對應（事實底稿 C-2，L1）。 ⚠️ 應用別 % 僅 L1 法說會口述（約略值），年報無逐年精確應用別營收表（標〈完整分析〉缺口①）。

四、損益概況與獲利能力（2025 年報 p.83 財務績效比較表、p.2 致股東報告書，L2）

單位：新台幣仟元

2025 毛利率 37.39%（1,160,548/3,104,313）、純益率 21.91%、ROE 11.79%、資產報酬率 10.57%（2025 年報 p.2／p.83，L2）。對比 2024 毛利率 28.58%（833,932/2,918,407，2025 年報 p.83，L2）——毛利率單年躍升約 8.8pp，營收僅增 6.37% 但營業利益增 65.50%（營運槓桿＋產品組合改善，2025 年報 p.83，L2）。 業外大幅縮減：營業外由 2024 的 2.06 億降至 2025 的 0.53 億（YoY -74.21%），主係 2024 含外幣兌換利益 1.02 億、2025 轉為兌換損失 0.30 億（2025 年報 p.83／p.85，L2）——業外波動全為匯率（產品計價 100% 美金）、不影響本業判讀。

五、銷售地區別（2025 年報 §二(一)1 主要商品之銷售地區，L2）

內銷台灣占比由 24.95%（2024）升至 37.58%（2025）、外銷亞洲由 74.92% 降至 62.25%（2025 年報 §二(一)1，L2）；外銷主要以中國大陸及泰國為主（2025 年報 §二(一)1，L2）。內外銷結構的位移呼應法說會所述「中國 PC 客戶轉內地供應商、台灣客群展貨佳」（法說會 2025-10-30，L1）。⚠️ 2021 年報為 CID 字型、地區別中文亂碼無法可靠抽取，僅 2024／2025 地區別可靠（標〈完整分析〉缺口⑤）。

六、研發與競爭地位（2025 年報 p.67-70／p.75，L2）

• 研發投入：2025 研發費用 137,508 仟元、研發人員 36 人（占員工 137 人之 26%）；2026（115）計畫研發費用合計約 177,660 仟元（2025 年報 p.67／p.75／p.86，L2）。國內外專利權計逾 92 項（已取得或申請中，2025 年報 p.70 §二(三)3，L2）。
• 2025 開發成功之技術（2025 年報 p.67-68，L2）：第三代中低壓 30V Power MOSFET 已通過客戶驗證並導入量產（PC／顯卡 CPU/GPU 核心電壓）；AI 伺服器 Oring FET 30V 完成驗證；48V 系統散熱風扇馬達驅動 100V Nch／Pch 已導入量產；新世代高壓 600V／650V 第四代製程平台進入量產、導入電源供應器 ODM 大廠；650V IGBT 預計 2026H1 推出；SiC Power MOSFET 針對 650V／750V／1200V 優化中、GaN HEMT 完成 650V／700V 開發、2026 納入產品線；DrMOS 產品 2026 進入量產。
• 競爭利基（2025 年報 p.70 §二(三)3，L2）：自 1998（民87）成立、深耕功率半導體逾二十載並歷經多次景氣循環；核心自主技術＋垂直整合研發能力；「台灣核心、全球支援」產能布局＋策略性投資關鍵封裝設備並預付產能保證金；提供完整 Total Solution 與協同研發（Co-Design）；鴻海與國巨集團多元合作（2025 年報 p.3，L2）。
• 競爭格局（2025 年報 p.66／p.69，L2）：龍頭為 Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、Texas Instruments 及日系大廠，全球前五大廠佔逾五成市佔（寡占）；中國杭州士蘭微 2024 市佔率 4.6%、列全球功率離散元件及模組第十（2025 年報 p.66，L2）。

七、風險事項（2025 年報 §伍六 p.85-88，L2）

• 匯率：產品銷售計價 100% 美金，匯率波動直接衝擊當期損益；2025 兌換損失淨額 (29,870) 仟元、占稅前淨利 (3.57%)，對比 2024 兌換利益淨額 101,846 仟元、占稅前 14.98%（2025 年報 p.85，L2）；公司持續減持美元部位自然避險（2025 年報 p.85，L2）。
• 產能受限（Fabless）：需求爆發時面臨晶圓代工廠排程不足而影響交期；因應以預付貨款、投資關鍵生產設備、與代工廠及封測廠簽長期供貨協議（LTA）（2025 年報 p.71 §C／p.87，L2）。
• 進貨集中於單一供應商：2025 前二大供應商占進貨 48.25%（FN012 28.94%＋PN011 19.31%）；因應以二家以上合格供貨來源、簽 LTA（2025 年報 p.74／p.87，L2）。
• 產業競爭：高壓 MOSFET 國際 IDM 殺價＋中國廠崛起為核心競爭壓力（2025 年報 p.66／p.71，L2）。
• 無重大訴訟、無經營權變更、無併購計畫、近期無擴充廠房（2025 年報 p.88 §六(七)(八)(十)(十一)(十二)，L2）。

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